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深紫外LED器件因对新型冠状病毒具有显著的灭杀效果而成为面向人民生命健康的国家重大需求，高铝组分铝镓氮（AlGaN）的高效p型掺杂是实现高性能深紫外LED器件的关键。然而，AlGaN中镁（Mg）杂质离化能很大，成为实现其高效p型掺杂的核心难题。短周期超晶格技术路线能有效降低AlGaN中Mg杂质的离化能，并通过微带有效提升载流子输运性能；但是，短周期超晶格中微带的形成要求可控制备亚纳米厚度势垒层，这...
近日，广西大学物理科学与工程技术学院孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队成果以“Recent Advances in Packaging Technologies of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes”为题在《Advanced Materials Technologies》杂志上发表综述文章。
基于量子工程非平衡掺杂实现高效p型掺杂AlGaN（图）
量子工程 非平衡掺杂 高效p型掺杂AlGaN 超宽禁带氮化物材料
2022/4/22
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵研究员团队和中国科学院半导体所邓惠雄研究员合作报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究团队发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获得低电阻、高空穴浓度的AlGaN材料，进而制备高性能深紫外LED。
近日，南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展，相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。
Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells
non-abrupt doping interfacial profiles carrier sheet density quantum wells
2010/7/5
The results of an accurate theoretical study on the effects of non-abrupt doping and interfacial profiles on the electron sheet density in one-side modulation-doped wurtzite GaN/AlGaN single quantum w...
AlGaN/GaN抛物量子点的尺寸相关三阶非线性极化率研究
量子点 三阶非线性极化率 束缚势 内建电场
2008/3/16
在有效质量近似框架下,通过求解AlxGa1－xN/GaN自组织圆柱形量子点的薛定谔方程,计算了量子点中导带电子在两个正交方向：Z‖和Z⊥方向上产生的三阶非线性极化率.计算中,电子的运动受到自组织量子点的抛物型束缚势和内建压电场的影响.计算表明,量子点的三阶非线性极化率的数量级达到了10－14m2/V2.进一步在Z‖和Z⊥方向上,考察了三阶非线性极化率与两个方向上的抛物束缚势的频率ωp、ωz,量子点...
Electron Transport Mechanism in GaN/AlGaN HEMT Structures
GaN Momentum Relaxation LO Phonon Scattering
2010/4/13
The electron transport mechanism in GaN/AlGaN HEMT (High Electron Mobility Transistors) structures grown with MBE on sapphire substrate was investigated by using the temperature dependence of the Hall...