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1-1
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“
理学 SCM
”
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上海技术物理研究所InGaAs/InP APD结构的
SCM
研究获进展
上海技术物理研究所
InGaAs/InP APD结构
SCM
2009/11/26
近日,中国科学院上海技术物理研究所有关InGaAs/InP 雪崩二极管(APD)结构的扫描电容显微方法(
SCM
)研究工作发表在《应用物理快报》(Applied Physics Letters)上(59卷, 093506),该工作得到了技物所三期创新项目资助。
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