搜索结果: 1-14 共查到“凝聚态物理学 SiC”相关记录14条 . 查询时间(0.062 秒)
石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究
SiC 石墨烯 肖特基势垒 第一性原理计算
2022/3/31
由于SiC禁带宽度大，在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒，制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题，因此，研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度（SBH）非常重要。本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，结合平均静电势和局域态密度计算方法，研究了石墨烯作为过渡层对不同金属（Ag，Ti，Cu，Pd，Ni，Pt）/SiC接触的SBH的影响。计算结果表明，单层石墨烯...
Comparison of Graphene Formation on C-face and Si-face SiC {0001} Surfaces
Comparison of Graphene Formation Si-face SiC {0001} Surfaces
2010/11/19
The morphology of graphene formed on the ( 0001 ) surface (the C-face) and the (0001) surface
(the Si-face) of SiC, by annealing in ultra-high vacuum or in an argon environment, is studied by atomic ...
Identification of the major cause of endemically poor mobilities in SiC/SiO2 structures
Identification of the major endemically poor mobilities
2010/11/22
Materials with good carrier mobilities are desired for device applications, but in real devices the mobilities are usually limited by the presence of interfaces and contacts. Mobility degradation at s...
化学气相反应法制备不同碳基体表面SiC涂层组织结构分析
C/C复合材料 石墨 抗氧化涂层 SiC
2009/10/15
采用化学气相反应法, 以同种工艺分别在石墨和C/C复合材料表面制备了SiC涂层, 借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱分析等手段分析了涂层的微观结构, 研究了不同碳基体对SiC涂层结构和表面形貌的影响, 并初步对比考察了涂层的高温抗氧化性能. 结果表明: 制备的SiC涂层整体致密, 与基体结合良好, 但存在明显的结构差异. 石墨表面制得的SiC涂层呈梯度分布, 涂层主要由致密外层及...
磁控溅射DLC/SiC/Ti多层膜对镁合金摩擦磨损性能的影响
镁基材 薄膜 摩擦磨损 磁控溅射
2013/10/8
采用室温磁控溅射技术在镁合金(AZ91D)表面制备DLC/SiC/Ti(类金刚石/碳化硅/钛)多层膜(SiC,Ti为中间层),研究了薄膜的纳米压痕行为和膜基系统的摩擦磨损性能。试验结果表明:DLC薄膜具有低的纳米硬度(4.01GPa)和低的弹性模量(40.53GPa),但具有高的硬弹比(0.10);膜基系统具有好的摩擦磨损性能;在以氮化硅球为对磨件的室温干摩擦条件下摩擦系数平均约为0.19,与镁合...
Potential Performance of SiC and GaN Based Metal Semiconductor Field Effect Transistors
Ballistic transport frequency response Steady-state Drain current
2010/7/5
A Monte Carlo simulation has been used to model steady-state electron transport in SiC and GaN field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters...
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
阴极荧光 4H-SiC 无损表征 位错及堆垛层错
2010/5/4
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中，表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的，因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错，其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征...
硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响
硅衬底碳化 异质外延 SiC薄膜结构
2009/2/17
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 s...
中国科学院物理研究所宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展
宽带隙半导体 SiC非磁性掺杂 进展
2009/2/13
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室陈小龙研究组采用非磁性Al元素对SiC进行掺杂，获得了Al掺杂的4H-SiC单相样品。磁性测量结果表明，通过掺杂Al元素（~0.75atm%）在样品中建立了长程磁有序和自旋玻璃共存的现象，即玻璃态铁磁性。一种可能的解释为：Al原子最外层为3个电子，比Si最外层少1个电子，通过Al元素的掺入，在SiC中引入了未成对电子，导致自旋磁矩的存在。这些自旋磁矩通...
α-SiC晶面上的配向附生体
2007/12/13
研究α-SiC晶面的显微形貌时发现C面上有各种形状的α-SiC配向附生体。文中介绍了这些配向附生体的几何特征及其羣体在衬底晶面上的排列规律,讨论了附生体的生长条件,并认为这些附生体是生长后期的产物;其生长是由二维核化机理所控制,同时近似地估计了生长所需的临界过饱和度与临界晶核半径。最后介绍了在实验室生长这种配向附生体的某一次模拟试验的初步结果。
七种新的SiC六方多型体
2007/12/12
本文提出了用X射线劳埃法鉴定SiC六方多型体类型的方法。在详细地研究了xH类型与基本类型6H,15R和4H的倒易阵点间相互配置关系的基础上,推导出了这些具体关系,这种关系对于xH—6H来说仅有十二种,对于xH—15R仅有三十种,对于xH—4H仅有八种。上述的点间关系表和推求xH类型单位晶胞密堆积层数的公式同样可以普遍适用于以其他X射线照相法鉴定SiC六方多型体类型的工作中。用本文所提出的方法研究了...
Pseudopotential-Based Full Zone k . p Technique for Indirect Bandgap Semiconductors: Si, Ge, Diamond and SiC
Band structure indirect bandgap semiconductors pseudopotentials
2010/4/9
The k . p is a versatile technique that describes the semiconductor band structure in the vicinity of the bandgap. The technique can be extended to full Brillouin zone by including more coupled bands ...
Numerical Simulation of the Optical Properties of SiC/SiO2 Quantum Dots
Numerical Simulation the Optical Properties SiC/SiO2 Quantum Dots
2010/10/21
We perform a theoretical investigation of the absorption and emission properties of quantum confined SiC/SiO2 spherical quantum dots, focusing on the the size-dependent emission and absorption spectra...