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Effects of Electron Back-scattering in Observations of Cross-sectioned GaAs/AlAs Superlattice with Auger Electron Spectroscopy
Effects Electron Back-scattering Observations Cross-sectioned GaAs/AlAs Superlattice Auger Electron Spectroscopy
2010/9/17
Cross-sections of GaAs/AlAs thin films prepared by cleavage of MBE-grown superlattices have been analyzed with Auger electron spectroscopy with a spatial resolution of 6 nm. Elemental distributions o...
应用约束刻蚀剂层技术(CELT)对GaAs进行电化学微加工. 研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs刻蚀加工过程的影响. 循环伏安实验表明, Br-可以通过电化学反应生成Br2作为刻蚀剂, L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂. CELT中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面, 模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时, 刻蚀剂可以对GaAs进行加工. 利用表面具有微凸...
利用多重散射团簇方法（MSC）计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）.阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源.根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为（0.213±0.005）nm.这个结果在0.005 nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构（EXFAS）实验谱的Fourier变换结果（0.217 nm）和...
大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析
半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析
2010/2/23
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC（Light Energy Converter 光能转换器） Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明，大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布，中心区域比较高，靠近中间区域最低，边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式，其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的...
摘要 采用探测室可转动的分子束实验装置,研究了氯分子束与GaAs(100)表面热反应和紫外激光诱导反应的动力学.结果表明,热反应的主要产物为GaCl~3, 其角分布可用cos^2^.^3θ函数拟合.对于紫外(355nm)激光诱导反应,由角分辨的飞行时间(TOF)法测得主要产物为GaCl等,它们的通量角分布须用双余弦加和公式(c~1cosθ+c~2cos^nθ)拟合,表示产物粒子在表面法线方向明显聚...