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测量了2-烷基TCNQ(C8TCNQ，C12TCNQ，C18TCNQ)浇铸膜的红外光谱，发现这类化合物的红外CH2剪式振动在1 471和1 462 cm-1处显示2个峰。这2个峰的强度比(I1 471/I1 462)随着烷基链的长度增加而明显减少。另外，来自CH2的1 471 cm-1吸收峰与来自TCNQ环的1 529 cm-1吸收峰的相对强度随着碳链的长度增加而不发生变化。CnTCNQ系列化合物...
Ag/TCNQ薄膜中的传质行为研究
Ag/TCNQ薄膜 激活能 传质系数
2009/12/14
采用真空蒸发的方法在玻璃基板上交替蒸发Ag和TCNQ(四氰基对醌二甲烷), 形成不同厚度的双层膜, 经Ag的固体化学扩散与TCNQ反应, 形成金属有机络合物. 利用透射光谱作为表征, 研究了Ag的传质规律, 给出了60~110 ℃温度下的恒温传质系数k和对应的激活能, 并对传质机制进行了探讨.
Met.(Cu,Ag)-TCNQ有机薄膜的EB CL像。
DEA(TCNQ)2与TEA(TCNQ)2单晶上的STM热化学烧孔性能比较
STM 信息存储 热化学烧孔 存储材料
2009/11/26
利用STM隧道电流焦耳热诱导分解气化的热化学烧孔方法，对两种存储材料DEA(TCNQ)2和TEA(TCNQ)2的存储性能作了比较,DEA(TCNQ)2可以得到更高的存储密度、更大的信息孔深/孔径比,有更大的写入阈值电压.由此说明通过对存储材料的设计可以对存储系统的性能进行优化.
2,5—二苄基—TCNQ衍生物的合成及电化学性质的研究
二苄基 TCNQ衍生物 合成 UV／VIS光谱 电化学性质
2009/11/9
2,5—二苄基—TCNQ衍生物的合成及电化学性质的研究。
研究发现当电极电位处于双层区时, 三种分子在Au(111)电极表面均可形成高度有序的吸附结构. TTF与TCNQ分子有序吸附层的单胞结构分别为(6 ´ 3) 和 (4 ´ 7), 如图1中的模型所示, 分子均是以平躺的方式吸附在Au(111)电极表面. 而当电极电位向负方向移至0.08 V(RHE)时, TCNQ分子的吸附结构发生了相转变, 形成了一种单胞为(3√3&acu...
TMB·TCNQ和硬脂酸混合LB膜的制备及表征
电荷转移配合物 混合LB膜 制备 表征
2009/5/8
将没有双亲性的电荷转移配合物TMB·TCNQ (TMB：3, 3′,5,5′-Tetramethylbenzidine；TCNQ：7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)通过与硬脂酸混合组装制备了混合LB膜。TMB·TCNQ和硬脂酸的摩尔比例在1∶1, 1∶2和1∶3的情况下都可以成功进行组装。利用紫外-可见-近红外光谱、透射和掠角反射红外光谱、X射线衍射以及原子力显微镜...
基于TCNQ电荷转移化合物的合成与光谱性质
TCNQ自由基 拉曼光谱 红外光谱 电荷转移化合物
2009/4/30
π电子受体TCNQ的电荷转移化合物有奇特的电学和磁学性质，在该类电荷转移化合物中，TCNQ的形态对化合物的性质有较大的影响。文章合成了两种电荷转移化合物[RBz(4-CH3)Py][TCNQ](R=Br(1),I(2))，通过元素分析、红外光谱和拉曼光谱对其进行了表征。这两种化合物的元素分析结果显示与理论值一致。通常在2 200 cm-1附近的C≡N的伸缩频率经常被用来确定TCNQ分子的电荷，TC...
摘要 采用真空蒸发方法制备了Cu/TCNQ金属机双层膜. 系统研究了湿度对CuTCNQ络合物形成过程的影响规律, 结果表明湿度对膜的化学反应传质过程有明显加速作用. 过程机制在干燥条件与湿度作用条件下有本质不同: 前者为固体化学扩散机制, 而后者为水溶液电化学反应机制. 进一步深入分析传质时间与湿度的关系后发现, 湿度条件下薄膜对水分子的吸附是反应传质速度的控制步骤.
摘要 合成了七个胺铜或镍配离子的TCNQ电荷转移盐[ML2][TCNQ]n(TCNQ=7, 7, 8, 8-四氰基对苯二醌二甲烷; n=2, 3;M=Cu, Ni; L=tn, pn, dien, dmtade)。通过元素分析、红外光谱、电子光谱、顺磁共振谱、光电子能谱、磁化率和电导率对这些电荷转移盐进行了表征。结果表明, 这些电荷转移盐分子中存在TCNQ^0和TCNQ^-且TCNQ^0与TCNQ...
合成了电荷转移复合物HEK-TCNQ和HEK-DDQ(HEK=9-hydroxyethylcarbazole)。拉曼光谱和吸收光谱测定表明: 光电导为10^-^1^1s.cm^-^1的HEK-TCNQ在514.5nm激光照射下可发生电荷转移, 生成HEK^+TCNQ^-, 其光电导显著增大。X射线结构分析和红外光谱表明: HEK与DDQ之间基态电荷转移量为0.1~0.2。
MTDTPY.TCNQ及MTDTPY.CHL电荷转移复合物晶体的电子能带结构 及其与导电性能 关系的研究
导电性能 电子能带结构 晶体 电荷转移复合物 EHMO方法 紧束缚近似 电荷转移 载流子 电导率 迁移机理
2007/12/13
用紧束缚近似的EHMO方法对αMTDTPY.TCNQ(1)、β-MTDTPY.TCNQ(2)及MTDTPY.CHL(3)三种电荷转移复合物晶体的电子能带进行了计算。在1中,电子施体(D)分子MTDTPY及受体(A)分子TCNQ形成交替重叠的一维分子柱(M),柱间无净电荷转移。能隙E~G=0.15eV,载流子的产生主要来自热激发。在2及3中,电子施体(D)MTDTPY及受体(A)TCNQ及CHL分子...
DPA(TCNQ)2的烧孔阈值电压对脉宽的依赖关系
DPA(TCNQ)2(dipropylamine tetracyanoquinodimethane） 高分辨STM图像 场致蒸发 热化学烧孔机理
2010/1/12
合成了一种新的二元电荷转移复合物DPA(TCNQ)2（二丙胺-7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌)，并得到了其单晶ab面的STM高分辨图像，表面晶格常数与体相晶格常数的XRD数据完全一致.用STM成功地写入了5×5的信息点阵，并在5.1 μm×5.1 μm的面积上写入更大规模的信息点阵，写入的可靠性和稳定性都很高.实验发现，烧孔阈值电压强烈依赖于脉宽,这一现象不支持场致蒸发的机理.理论分析表明，它...
TCNQ脂类衍生物及其铜复合物的合成与红外光谱研究
TCNQ脂类衍生物 电子转移复合物 红外光谱
2010/3/23
首次合成了7，7，8，8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物: TCNQ(C2H4COOR)2(R=CH3, C2H5, C3H7)及其铜电子转移复合物。通过元素分析确定这些化合物的组成, 对这些化合成物在4 000～400 cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属，并讨论了取代基对TCNQ类衍生物红外光谱的影响及其规律。