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InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究
InAs/GaSb 超晶格 干法刻蚀 湿法腐蚀 台面
2016/8/10
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀.研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基, Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定.采用优化的台面工...
采用分子束外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后，二极管漏电流密度降低了三个数量级，零偏阻抗R0达到106 Ω，R0A达到103 Ω cm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分；电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4~5×1014cm-3....
InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的IV特性研究
InAs/GaSb 超晶格 红外二极管 表面漏电 阳极硫化
2016/8/23
采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb 衬底上生长了pin 结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管。经过（NH4）2S 表面钝化后的IV 特性曲线表明：低的正偏压下，理想因子n 在 2 左右，势垒区的复合电流起主要作用；偏压超过0.14 V 时，n 在1 左右，少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的III 族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后，表面...
分别采用 Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP（Inductively Couple Plasma）刻蚀。结果表明，两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系；在2 mTorr气压下，RF功率为50 W，SiCl4流量为3 sccm，Ar为9 sccm时，刻蚀速率为100 nm/min，且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明，SiCl4/Ar...
InAs/GaSbⅡ超晶格光导型红外探测器研究
InAs/GaSb超晶格 红外探测器 光谱响应
2009/9/17
采用分子束外延（MBE）方法，在GaAs衬底上生长Ⅱ型超晶格InAs(2ML)/GaSb(8 ML) 和
InAs(8 ML)/GaSb(8 ML). X射线衍射（HRXRD）和室温红外吸收光谱验证了超晶格材料的晶体结构
和禁带宽度，制备了短波和中波的单元光导探测器. 在室温和77 K下进行黑体测试和光谱响应测试，
D*λ均超过2×109 cmHz1/2/W，77 K下50％截止波长分别为～...
低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响
超晶格 界面层 表面形貌
2009/9/17
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃~520 ...
Interface influence on structural properties of InAs/GaSb type-II superlattices
interface II type superlattice InAs/GaSb
2011/5/11
Theoretical studies of interface impact on structural properties of InAs/GaSb type-II superlattices were carried out. Multilayer structures used for mid-infrared detection were considered. The superla...
2007年3月8日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员领导的分子束外延（MBE）课题组徐应强、郝瑞亭、周志强、任正伟等人采用分子束外延技术，成功地在GaAs衬底上生长出高质量GaSb厚膜材料和2－3微米波段InAs/GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs/GaSb超晶格。