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An Electronically Reconfigurable Three Band Low-Noise Amplifier in 0.5 μm GaAs pHEMT Technology
RFIC MMIC LNA Reconfigurable IC
2014/12/8
State-of-the-art RF front-end circuits are typically designed to operate at a single frequency. With an increasing number of available wireless standards, personal mobile communication devices require...
一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法
小信号等效电路模型 pHEMT 建模 参数提取 S 参数
2013/4/9
赝高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 目前广泛应用于低噪声放大器的设计，其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化 (EDA) 设计尤为重要。本文介绍了一种 pHEMT 小信号等效电路模型的参数提取方法，并采用该方法对一款稳懋公司 0.15 1m 工艺 pHEMT 进行仿真参数提取，结果与稳懋 pHEMT 模型手册中小信号模型对比，吻合良好，进而希望该模型应用于低温 pHEMT 小信号模型参数提...
PHEMT结构一种高电子迁移率晶体管，以其高频和低噪声等方面的优越性，成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基PHEMT结构压阻效应，设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器，通过力作用在加速度计上，改变PHEMT结构漏极电流的输出，并通过外围测试电路来检测该电流变化，从而实现力电转换。文中，对其基本原理和结构设计进行阐述，并...
High Frequency Circuits Based on GaAs-pHEMT Technology for Modern Sensor and Communication Systems
High Frequency Circuits GaAs-pHEMT Technology Modern Sensor Communication Systems
2010/7/15
For sensor and communication system applications, Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) feature performance, functionality, reliability, and competitive price. In this paper, the potential ...