搜索结果: 1-15 共查到“工学 Pd”相关记录196条 . 查询时间(0.171 秒)
表界面结构是决定纳米催化材料性能的关键因素，不仅影响表界面处电荷的传递、反应物的吸附与活化，而且还决定反应中间体的吸附强度和构型，进而显著提高催化剂的活性和选择性。因此，深入研究和优化表界面结构，对于提升纳米催化材料的催化性能至关重要。
伯醇在生命科学（如药物、农用化学品、调味剂、香料等）和化学工业（如大宗/精细化学品、特种化学品）中具有广泛的应用，开发高效的伯醇合成方法具有非常重要的科学意义和实用价值。以氢气分子为还原剂，环氧化合物选择性加氢是合成醇最直接和原子经济的策略之一，但控制环氧化合物加氢的区域选择性仍具有挑战性。均相催化环氧化物区域选择性加氢取得了重要的进展，但存在催化剂分离和回收困难、且需要使用昂贵且结构复杂的配体都...
一种Pd-Ag/C催化剂的制备方法，其中Pd的质量分数为1-30％，Ag的质量不大于Pd含量的25％。该催化剂采用浸渍还原法获得，其制备包括：(1)碳载体的分散、(2)浸渍液的配制和(3)Pd-Ag/C催化剂的制备三个步骤。该催化剂制备过程不需要加保护剂调控催化剂粒径及合金度，碱性介质中对小分子醇氧化的催化活性高，稳定性好，制备过程无毒无污染，可放大生产，可用作碱性介质中小分子醇的电化学氧化催化剂...
一种Pd-Ag/C催化剂的制备方法，其中Pd的质量分数为1-30％，Ag的质量不大于Pd含量的25％。该催化剂采用浸渍还原法获得，其制备包括：(1)碳载体的分散、(2)浸渍液的配制和(3)Pd-Ag/C催化剂的制备三个步骤。该催化剂制备过程不需要加保护剂调控催化剂粒径及合金度，碱性介质中对小分子醇氧化的催化活性高，稳定性好，制备过程无毒无污染，可放大生产，可用作碱性介质中小分子醇的电化学氧化催化剂...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种负载型Pd催化剂及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 负载型 Pd 催化剂
2024/1/18
本发明涉及一种负载型Pd催化剂及制法和在胺类化合物消旋化及动态动力学拆分中的应用。该负载型Pd催化剂应用于(S)-1-苯乙胺的消旋化反应时，表现出高的催化活性和大于97%的产物选择性。这种Pd催化剂应用于1-苯乙胺的动态动力学拆分时，目标酰胺的收率可达到95%以上。本发明大大拓展了胺类化合物消旋化和动态动力学拆分的催化剂应用范围。该催化剂制备方法简单、环境友好、应用范围广。
本发明涉及一种在对苯二甲酸加氢精制反应中具有高活性的Pd/C-SiC催化剂及其制备与应用。本发明以高强度大孔碳化硅为载体，表面生成碳层并经过二氧化碳活化及氮原子掺杂改性后分散Pd催化剂，从而大大提高了催化活性，而且高强度碳化硅载体作为硬骨架，可避免了碳载体反应过程中破碎等问题，提高催化剂寿命，在对苯二甲酸加氢精制反应中有潜在工业应用价值。
本发明涉及一种在对苯二甲酸加氢精制反应中具有高活性的Pd/TiO2-C-SiC催化剂及其制备与应用。主要解决现存的对苯二甲酸加氢精制反应中，由于活性炭载体易破碎以及质量差别大，所造成的钯催化剂质量不稳定的问题。本发明以高强度大孔碳化硅为载体，通过表面炭化并用二氧化钛改性，以增大钯金属分散度，从而大大提高了催化活性。另外，高强度碳化硅载体的使用，也很好的避免了碳载体破碎造成的反应压降增大的问题，可用...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：Pd基复合纳米粒子及其制备方法
本发明涉及一种Pt-Pd合金型催化剂的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将作为还原剂和保护剂的聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物溶解在去离子水中，得到共聚物溶液；（2）将铂盐溶液和钯盐溶液加入到上述步骤（1）中得到的共聚物溶液中，在搅拌下反应，反应结束后，将反应体系冷却至室温，得到Pt-Pd合金纳米粒子溶胶；以及（3）将导电性载体加入到上述步骤（2）中得到的Pt-Pd合金纳米粒子溶胶中，搅拌使得Pt-...
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Ag核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 Pd Ag 核壳纳米材料
2023/6/19
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Ag核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Pt核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 Pd Pt 核壳纳米材料
2023/6/15
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种Pd@Pt核壳纳米材料及其制备方法
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种用于CO气相氧化偶联生产草酸酯的Pd/ZnO高效纳米催化剂及其制备方法和应用
中国科学院福建物质结构研究所 专利 CO气相氧化 草酸酯 Pd/ZnO 纳米催化剂
2023/2/21
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种用于CO气相氧化偶联生产草酸酯的Pd/ZnO高效纳米催化剂及其制备方法和应用
拓扑绝缘体及其边界态的研究一直备受关注。最近研究人员提出了高阶拓扑绝缘体[1]，比如三维二阶拓扑绝缘体，同时具有有能隙的体态和表面态，但是存在无能隙的一维棱态。二维的二阶拓扑绝缘体(2D SOTI)在能隙中存在相应的角态，Benalcazar等人提出的2D SOTI模型不适合电子材料体系[1]，而且人们很少在过渡金属层状材料中提出高阶拓扑。近年来，A2M1,3Te5(A=Ta, Nb; M=Pd,...
醇无溶剂催化氧化是合成精细化学品的绿色途径。其中，钯基催化剂因其优异的催化活性而得到广泛研究和应用。大多数研究人员认为金属钯物种(Pd0)是钯催化剂的活性中心，Pd0上醇的β-H消除是反应的决速步骤。由于氧化钯物种(Pd2+)在原位反应条件下很容易被还原成Pd0，造成传统方法难以控制催化剂稳定的Pd2+/(Pd0+Pd2+)比例，且催化剂中Pd0和Pd2+的作用难以区分，无法实现高效的协同，催化剂...
采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...