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XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 4H-SiC 同质外延生长 X射线衍射位错密度 2011/4/26

对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106 cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响，得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试，采用不同晶面衍射峰，计算出样品的位错密度。分析了外延中位错产生的原因，并提出了相应的解决办法。