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合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
近日，中国科学院上海高等研究院李东栋研究员、鲁林峰副研究员所带领的团队联合晋能清洁能源科技股份公司，在化合物/c-Si钝化接触异质结太阳电池的研究中取得重要进展，研究成果以“Stable MoOX‐Based Heterocontacts for p‐Type Crystalline Silicon Solar Cells Achieving 20% Efficiency”为题发表在 《Advan...
采用磁控溅射法在Si衬底上制备了SiO2介质膜,系统地研究了SiO2膜引入对Ag纳米颗粒的表面覆盖率、形貌、形成机理和光学性质的影响.研究发现引入SiO2介质膜后,Ag纳米颗粒的表面覆盖率显著增加,平均粒径明显降低.基于现有的Ag纳米颗粒形成机理,提出了粗糙表面Ag膜断裂模型以解释其形貌发生变化的原因.紫外-可见光分光光度计测试表明,引入SiO2膜并优化其厚度,可使Ag纳米颗粒的偶极消光峰最大红移...
应用严格耦合波分析方法(RCWA),在本征硅片衬底表面设计并制作了一种圆柱形抗反射微结构元件。通过MATLAB软件模拟仿真确定其最优参数组合,使反射率设计值为3%。应用二元曝光技术和反应离子刻蚀技术制作了单面和双面的圆柱形微结构,根据结果得到射频功率、气体流量及工作气压对微结构侧壁陡直度及形貌具有很大影响。还分析比较了形状(t为实际柱顶面直径与底面直径之比)与反射率的关系。采用热场发射扫描电子显微...
SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真
单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布 量子效率 仿真分析
2016/8/2
通过理论模拟CMOS工艺兼容的SiGe/Si 单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06 μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、SiGe材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06 μm波长下,SiG...
采用机械振动辅助激光熔覆复合改性新工艺,在45钢表面制备了单道Fe-Cr-Si-B-C合金涂层。借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能量分散谱(EDS)分析了熔覆层的物相组成、微观结构和元素分布,通过HVS-1000型显微硬度计测试了熔覆层的显微硬度。结果表明,熔覆层主要由α-(Fe, Cr)固溶体、M7C3(M=Fe、Cr)碳化物、Fe2B硼化物和少量Fe0.9Si0.1组成。在机械振...
温度对Si-MCP电化学腐蚀过程中空穴输运的影响
硅微通道 电化学腐蚀 空穴输运 迁移率
2016/8/12
在电化学腐蚀硅微通道这一工艺过程中,温度是其中一个很重要的影响因素。通过研究温度对电化学腐蚀硅微通道过程中空穴输运的影响,加深对电化学腐蚀硅微通道这一过程的认识。利用电化学光照辅助阳极氧化法以n型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,得到硅微通道阵列在不同温度条件下的I-V特性扫描曲线、孔道的形貌以及孔道的深度;根据晶体中的散射机制的相关原理,研究了温度与载流子迁移率和扩散系数之间的关系;根据...
An integrated tunable C band laser fabricated in a commercial CMOS foundry is discussed. The laser is embedded in the silicon chip, and is hermetically sealed. Preliminary optical characterization res...
Ge/Si SACM-APD器件分析
Ge/Si 雪崩二极管 吸收区 电荷区 倍增区分离 器件仿真
2016/8/10
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点.对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证.实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7 V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750~1 5...
为了提升Al/Zr多层膜的热稳定性,采用直流磁控溅射方法制备了18个带有不同厚度Si间隔层的Al(1 wt.%Si)/Zr多层膜,并将这些样品分别进行了不同温度(100~500 ℃)的真空退火,退火时间为1 h.利用X射线掠入射反射(GIXR)和X射线衍射(XRD)的方法来研究Si间隔层对Al/Zr多层膜热稳定性的作用.GIXR测量结果表明：随着Si间隔层厚度的增大,Al膜层的粗糙度减小,而Zr膜...
多晶Si酸制绒刻蚀稳定性的研究
多晶硅 酸制绒 刻蚀稳定性
2014/6/20
多晶Si酸制绒刻蚀稳定性对制绒工艺有重要的影响。本文主要研究酸刻蚀量在横向和纵向的不同，结合槽体内部分析液体流向分布对刻蚀稳定性的影响，强调设备结构设计对工艺稳定性影响的重要性。
Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究
InSb 红外焦平面 金刚石点切削 Si绑定
2016/8/19
针对InSb 红外焦平面芯片中InSb 与Si 读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象，开展了Si基InSb 红外焦平面探测器（FPA）的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术对芯片背面进行精确减薄，得到厚度为15μm的InSb芯片；研究了在InSb芯片和Si片上溅射及蒸发减反膜工艺，得到InSb芯片和Si片粘贴后红外中短波光谱的透过率高达88%；对器件的整体工艺路线进行了探索，最终...
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。
Wave Transmission in Dispersive Si-Based One Dimensional Photonic Crystal
Photonic Crystals Omni-Directional Reflection Optical Filter
2013/1/30
Transmission of electromagnetic waves through a Si-based one dimensional photonic crystal has been investigated. The proposed structure works as an omni-directional reflector for a certain range of wa...
Effect of the Doping Layer Concentration on Optical Absorption in Si δ-Doped GaAs Layer
Doped GaAs Self-Consistently The Intersubband Absorption
2013/1/30
We study in this paper the intersubband optical absorption of Si doped GaAs layer for different applied electric fields and donors concentration. The electronic structure has been calculated by solvin...