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测量了200A GeV的32S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.
测量了200A GeV 32S核与Cu作用产生的重碎片P,Si,Al和Mg的角分布,得出它们的横动量分布宽度σpt在130—270MeV/c的范围.
的300A GeV到100A TeV宇宙线事例,以及200A GeV的16O束流打核乳胶的有关最新实验结果.