搜索结果: 1-14 共查到“FET”相关记录14条 . 查询时间(0.077 秒)
中国科学院化学研究所高稳定性聚合物FET研究中取得进展（图）
中国科学院化学研究所 聚合物 FET
2021/5/26
在国家自然科学基金委员会、科技部和中国科学院的支持下，中科院化学研究所有机固体实验室研究员郭云龙和中科院院士、研究员刘云圻与天津大学教授胡文平教授合作，基于优异的分子结构设计，利用线棒涂膜方法，调控聚合物分子的取向组装，制备出A4尺寸的取向组装聚合物半导体薄膜。当载流子传输方向与聚合物主链方向一致时，基于该薄膜的场效应晶体管器件的空穴迁移率为5.5 cm2V–1s–1，电子迁移率为4.5 cm2V...
西安电子科技大学电子工程学院模拟电子线路英文课件Chapter8 FET Amplifier
西安电子科技大学电子工程学院 模拟电子线路 英文课件 Chapter8 FET Amplifier
2020/6/10
西安电子科技大学电子工程学院模拟电子线路英文课件Chapter8 FET Amplifier。
西安电子科技大学电子工程学院模拟电子线路英文课件Chapter7 FET Biasing
西安电子科技大学电子工程学院 模拟电子线路 英文课件 Chapter7 FET Biasing
2020/6/10
西安电子科技大学电子工程学院模拟电子线路英文课件Chapter7 FET Biasing。
将场效应晶体管（FET）的栅极金电极（GGE）延长一定距离，在GGE表面自组装上聚二硫二丙烷磺酸（SPS）膜，构建了一种可检测L-胱氨酸（L-cystine）的新型传感装置.该传感界面的SEM表征、电化学性能测试和XPS分析结果表明，在溶液中带负电荷的SPS聚阴离子膜可通过静电作用吸附结合带正电荷的目标物L-胱氨酸，形成双电层结构而产生识别一价有机铵离子的膜电位.该电极在磷酸盐缓冲溶液（pH=5....
西安思源学院电子信息工程学院模拟电子技术与应用课件 4场效应管（FET）放大电路（1）。
西安思源学院电子信息工程学院模拟电子技术与应用课件 4场效应管（FET）放大电路（2） 。
An FET-Based Unit Cell for an Active Magnetic Metamaterial
Terms—Artificial materials, FET circuits, Negative resistance devices, Polarizability, Oscillators
2011/9/14
A particle that can be used to create an active magnetic metamaterial has been designed using an FET transistor loaded in its gate by a conducting ring and in its source by a parallel resonance circui...
本文讨论了微波单栅FET的等效电路模型、本振大信号分析的谐波平衡法以及RF小信号分析的多频变换矩阵法。建立了一套完整的FET混频器的分析设计方法。试验设计表明,本方法是简便而有效的。
FET基波和谐波振荡器的大信号设计
大信号模型 谐波平衡法 谐波振荡器
2009/10/15
本文根据测出的FET的小信号S参数和静态,I-V特性建立了场效应管的大信号模型,然后应用谐波平衡法对FET基波和谐波振荡器进行了分析和优化设计,得到了振荡器稳态时的电流值。并采用一种简化的CAD方法求出了最佳功率输出时的外电路参数。在此基础上,研制了基波和Q波段、二次谐波振荡器。实验结果与理论分析基本一致。
分裂法与FET技术相结合的电路动态分析
动态电路 分裂法 FFT技术
2009/5/6
提出了分裂法与FFT技术相结合的动态电路分析法。把复杂动态电路分割成若干个线性子电路和一组联络支路(线性和非线性)。在任意长时间间隔内,用多端动态电源等效替代线性子电路。在互联电路的计算中,应用了FFT技术,该方法可降低分析复杂电路的难度,提高计算效率。
FET系列以太光纤收发器
以太光收发器 单波长 单纤双向
2008/10/28
本项目为以太光纤收发器它将单波长单纤双向传输技术、SNMP网管技术、以太网技术、高速光通信技术结合起来开发出网管型单波长单纤双向以太收发器产品。是一种以太网光纤介质和5类双绞线介质的转换器。它突破了5类线电缆传输距离短的限制，使得以太数据能在光纤中实现远距离的传输（几公里至100公里以上），同时，光纤具有损耗低、抗干扰能力强等诸多特点，因此光纤以太收发器被广泛地应用于宽带计算机广域网（WAN）、...
室温工作FET型高灵敏度半导体0^3传感器的研究
传感器 半导体 室温工作
2008/9/1
由南开大学信息技术科学学院研制的FET型O^3传感器具有小型、固态、有源、抗干扰性好等特点。由于采有复合悬浮栅结构，实现了双敏感膜与纳米多组分多孔膜的制作，使传感器在室温下对O^3具有高灵敏响应。由测量结果表明，传感器在20-30℃的工作温度范围内，对O^3的响应灵敏度达到 75μV/ppb 以上（双敏感膜的更高），响应范围为0-1ppm，线性响应范围可达0-400ppb，吸附响应时间可达10s。...
Simulation of a Novel Bipolar-FET Type-S, Negative Resistance Circuit
Negative resistance Novel circuit Bipolar FET device Circuit simulation
2010/12/7
A new circuit which uses FET and bipolar transistor is given. It exhibits Type-S differential negative resistance and a theoretical explanation is appended along with PSPICE simulation.