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用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计
InGaAs/InP 单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布
2016/8/10
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于Φ200μm...
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7 μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参...
近日，中国科学院上海技术物理研究所有关InGaAs/InP 雪崩二极管（APD）结构的扫描电容显微方法（SCM）研究工作发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上（59卷, 093506），该工作得到了技物所三期创新项目资助。
Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures
point defects interdiffusion built-in electric field
2011/5/6
Strong influence on impurity-free vacancy enhanced disordering by the cap layer doping is studied
on the InGaAs/InP quantum well structure with a doped cap layer. The observations are consistent
wit...
本研究对于1.55μm光通讯——InGaAsP/InP多量子阱材料，采用新的互扩方法，带隙改变224meV的最大移动量。它的创新之处在于采用含磷组份新的电介质膜SiOP，替代国际上传统的电介质膜（SiO_2，Si_3N_4）获得了突破的数据达到了目前国际上有关此项目研究的最高数据（据文献报导美、德、英、加、日等国为10～150meV）。本成果同时也为光集成组件和超大规模集成电路找到了新的低介电常数...
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...
摘要:采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器，在制作过程中，用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p-区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InP PIN 光探测器，响应度为0.21 A/W。分析了激光诱导扩散中影响探测器性能的因素，因此提出了扩散温度自动控制、扩散区温度分布均匀化及激光焦斑与扩散区精确对准等相应的改进方法。
InGaAs/InP APD探测器光电特性检测
静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
2012/4/17
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA，在直径500 mm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过...
Evidence of the Miniband Formation in InGaAs/InP Superlattices
Superlattices Plasmons Raman scattering
2010/9/25
The formation of the miniband electron energy structure was explored in doped InGaAs=InP superlattices with different periods. The analysis of the Raman data allowed us to conclude that in spite of th...
Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy
InGaAs deep centers deep level transient spectroscopy (DLTS)
2011/4/27
The deep level transient spectroscopy (DLTS) method was applied to study deep centers in lattice mismatched InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy. The composition and the strain state of t...