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为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电...
过渡金属二硼化物的金属K边XAS研究
过渡金属二硼化物 X射线衍射 扩展X射线吸收谱 X射线近边吸收谱
2009/7/28
结合X射线衍射实验(XRD)和金属K边的X射线吸收谱(XAS)研究了过渡金属二硼化物(TiB2,VB2和CrB2).在近边吸收区,除了主吸收峰之外,还观察到了3个弱的边前峰,它们是由于金属吸收原子的3d轨道在D6h配位场下分裂,分裂后的3个d轨道与高层金属原子4p轨道发生杂化而引起的.此外,还根据XRD实验得到的晶格参数初步拟合了金属K边EXAFS谱,得到了一些有意义的结果.
GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构
球形量子点 解析方法 平面波展开方法 有效质量
2008/11/28
详细讨论了GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律，并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外，用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算，并对计算结果做了比较，发现它们符合的很好. 结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.
采用低压金属有机化学气相沉积(LP—MOCVD)技术，两步生长法在InP衬底上制备In ：Ga0 。As材料。研究缓冲层In Ga As的In组分对In0．8：Gao。。As结晶质量和表面形貌的影响。x射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌。实验结果表明，低温生长的缓冲层In Ga 一 As的In组分影响高温生长的外延层In ：Ga0_1。As...
Properties of Excitons Bound to Neutral Donors in
GaAs-AlxGa1-xAs Quantum-Well Wires
quantum-well wires excitons bound to a neutral donor binding energy
2007/8/15
2006Vol.45No.5pp.945-949DOI:
Properties of Excitons Bound to Neutral Donors in
GaAs-AlxGa1-xAs Quantum-Well Wires
DI Bing and LIU Jian-Jun
College of Physics, Hebei Nor...
Reduction and Sorption of Chromium by Fe(II)-Bearing Phyllosilicates: Chemical Treatments and X-Ray Absorption Spectroscopy (XAS) Studies
Absorption Chromium EXAFS Phyllosilicates Reduction XANES
2011/12/6
Abstract: The reduction of hexavalent chromium species in aqueous solutions by interaction with Fe(II)-bearing solid surfaces was studied using a 0.96 × l0−3 M Cr(VI) solution and iron-rich clay...
The Energy Spectra of GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Dots
Energy Spectra GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Dots
2010/4/19
The energy expressions for QD presented in high- and low-magnetic fields are calculated. An interpolation formula between the energies of the quantum dot in both limits is proposed. The formula is imp...