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电子级多晶硅生产工艺的热力学分析多晶硅生产工艺化学反应平衡 2009/11/12

基于Gibbs自由能最小原理，对SiHCl3法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算，重点对SiHCl3还原反应子系统进行了热力学分析. 对于SiHCl3还原反应子系统，适宜的操作温度为1323~1473 K，压力为0.1 MPa；温度高于1323 K，H2/SiHCl3比大于6.6，低压下有利于SiHCl3还原生产多晶硅. 针对传统的SiHCl3还原需要高温下电加热给...