搜索结果: 16-30 共查到“材料科学 陶瓷材料”相关记录149条 . 查询时间(0.911 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种可用做切削刀具的金属陶瓷材料的常压下制备方法
中国科学院金属研究所 专利 切削刀具 金属陶瓷材料
2023/10/18
本发明属于金属陶瓷材料制备领域,具体涉及一种可用做切削刀具的金属陶瓷材料CrB4的常压下制备方法,解决现有技术中超硬切削刀具材料合成采用高温高压粉末冶金的方法,成本高,效率低等问题。本发明通过第一原理的计算,预测CrB4硬度高,密度低,化学惰性好,且能在常压下合成。根据相图,设计其制备方案为Cr和B按一定配比真空熔炼,然后封入真空石英管,制定合理热处理制度,在高温下长时间保温。通过优化其制备方案,...
中国科学院金属研究所专利：一种SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC 蜂窝陶瓷材料
2023/9/8
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种多孔薄壁、高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能高、结构可控的SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法。所述SiC蜂窝陶瓷材料具有连续单一的类似于蜂窝形的整体结构,沿轴向有许多平行的通道,通道的形状可以是三角形、波形等；组成蜂窝结构的单位面积孔数可控制在100～5/cm2之间,孔壁厚度可控制在0.2～2mm之间；孔壁可以为致密结构,也可具有微孔结构；...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧氮 陶瓷材料
2023/9/7
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。以氧化镥粉(Lu2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1：(0.8~1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料,所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)块体陶瓷材料的方法。该方法用一定化学计量比的氧化镥粉和二氧化硅粉作为原料,经过球磨机球磨5~50小时,将混合均匀的原料装入石墨模具中,以5~20MPa的压力冷压成型,在通有保护气体(Ar)的热压炉中以2~15℃/min的升温速率加热至1400~1650℃,升温过程的同时加压15~40MPa,原位反应1~3小时,降温...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 陶瓷材料
2023/9/4
本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2),采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7...
中国科学院金属研究所专利：一种钇硅氧多孔高温陶瓷材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧 陶瓷材料
2023/8/29
本发明涉及多孔高温陶瓷材料领域,具体为一种通过有机泡沫浸渍工艺制备钇硅氧多孔高温陶瓷材料的方法。该方法以聚氨酯有机泡沫为模板,经过碱腐蚀和CMC溶液浸泡预处理后,在Y2SiO5浆料(由Y2SiO5粉、CMC溶液、硅溶胶、高岭土和聚乙二醇或柠檬酸铵混合配制)中浸渍、挂浆后,进行离心和干燥处理除去模板中多余的浆料。随后在700-900℃下热处理去除有机泡沫模板并预烧结,然后在1500-1550℃下进行...
中国科学院金属研究所专利：一种高机械强度泡沫陶瓷材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 高机械强度 泡沫陶瓷材料
2023/8/28
中国科学院金属研究所专利：一种高机械强度泡沫陶瓷材料及其制备方法
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法
中国科学院上海应用物理研究所 专利 碳化硅 陶瓷材料
2023/7/14
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：超重力场中制备致密块体陶瓷材料的装置
中国科学院声学研究所专利：铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法