搜索结果: 1-15 共查到“工学 铁磁”相关记录68条 . 查询时间(0.532 秒)
中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应（图）
铁磁 霍尔效应 电子学器件
2024/4/16
笼目（kagome）结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构，从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中，笼目六角反铁磁Mn3X（Ga、Ge、Sn）合金具有拓扑能带结构，可以表现出大的磁电响应效应。同时，兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性，是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来，Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
中国科学院全氮化物铁磁/超导界面近邻效应研究获进展
氮化物铁磁 超导界面 凝聚态物理
2024/4/11
超导体（S）和铁磁体（F）之间的界面是凝聚态物理研究的热点。二者界面耦合产生了较多有趣的物理现象。S/F界面的磁近邻效应是由界面两侧的电子自旋之间的交换相互作用，导致抑制磁序或出现非传统超导电性。当磁性材料靠近超导体时，磁场进入超导体内仅几纳米的区域并破坏库珀对，致使界面的超导行为发生空间变化，影响两侧材料的宏观物理特性。当前，超导自旋电子学已成为新兴领域，对实现无耗散自旋逻辑和存储技术具有重要作...
中国科学院物理研究所准二维铁磁化合物Fe3GaTe2的物性研究取得进展（图）
铁磁化合物 高性能 电子器件
2024/3/16
可解离的准二维铁磁化合物在近年来引起研究人员的广泛关注，其中的代表性进展是单层CrGeTe3和CrI3长程铁磁序的发现，它为研究维度依赖的磁相变和高性能自旋电子器件提供了优良体系。新发现的准二维Fe3GaTe2具有高居里温度(Tc=342 K)和强垂直磁各向异性，Ga/Te原子与Fe原子的反铁磁耦合与强烈偏离巡游Stoner模型等行为表明Fe3GaTe2具有丰富物性和重要研究价值。
针对负载和耦合系数均有可能大范围变化的实际工况,提出一种新型的基于铁磁谐振的非线性无线电能传输拓扑结构。首先,使用杜芬方程和相量分析法对工作原理进行定性分析;其次,使用有限元电路仿真软件对上述原理进行数值验证计算;最后,搭建了功率可达566 W、效率可达93.5%的非线性拓扑无线电能传输系统原型。实验结果表明,在次级稳压输出200 V的条件下,提出的非线性LCC-LCC拓扑能够适应耦合系数从0.1...
中国科学院物理研究所铁磁/α-GeTe异质结中各向异性非局域磁阻尼因子（图）
自旋动力学 电子器件 凝聚态物理
2023/11/11
磁性阻尼因子是自旋动力学中的一个关键参数，它描述了电子在晶格中弛豫的速度，涉及到电子能量和动量的传递过程。这个参数对于自旋电子器件的自旋翻转时间和临界电流密度至关重要。理解和控制磁性材料的阻尼因子对于基础研究和自旋电子学器件的设计具有重要意义。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关，理论上阻尼因子应该是一个张量，但在实验上，由于电子的随机散射，阻尼因子通常表现出各向...
2023年10月19日，中国科学院合肥物质院强磁场中心低功耗量子材料研究团队与合肥工业大学、华南理工大学以及中国科学技术大学等研究团队合作，利用质子门电压调控技术在二维铁磁材料Cr1.2Te2中实现了室温下的铁磁-反铁磁相变。研究成果发表在物理期刊Physical Review Letters上，文章被选为编辑推荐论文。
中国科学院金属研究所专利：一种采用介电/铁磁复合材料吸收微波的方法
中国科学院金属研究所 专利 介电 铁磁复合材料 吸收微波
2023/8/18
中国科学院金属研究所专利：一种采用介电/铁磁复合材料吸收微波的方法
中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展（图）
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测，但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷，使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力，在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力，被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料（如典型代表Mn3Sn）集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
中国科学院物理研究所专利：一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
科学家使用铁磁机器人实现灵活高效的自动化病毒检测
铁磁机器人 自动化 病毒检测
2024/1/23
在全球范围内提高病毒诊断和监测检测能力是流行病预防的关键。核酸扩增检测（NAATs）相比抗原抗体检测具有更优的灵敏度、特异性和快速部署能力。然而，当前基于 NAAT 的自动化检测平台无法灵活实现集成的液体处理、分析和自动反馈流程，并且它们的设备笨重、昂贵、试剂损耗大，需要繁琐的安装和维护要求，因此限制了其检测能力。
2022年8月24日，中科院合肥研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队郑国林研究员与澳大利亚皇家墨尔本理工大学Lan Wang教授以及华南理工大学赵宇军教授等人合作，首次利用门电控制二维异质结界面的质子插层，实现了范德瓦尔斯铁磁（FM）金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias（交换偏置）效应的电调控，为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果...
二维层状磁性材料由于其奇特的物理特性，如量子反常霍尔效应，二次谐波产生，巨大的隧道磁阻。负磁阻材料在磁场中的电阻会下降，这一反常特性使其在现代磁传感器、电磁保护和自旋场效应晶体管中具有独特应用。近年来，在二维层状材料中发现了一些负磁阻效应，例如，FeNbTe2晶体中出现本征的负磁阻效应（nMR=-1%）是由自旋玻璃态和安德森电子局域的综合效应导致的。在II型狄拉克半金属PtSe2中的铂空位会引起局...