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光开关荧光蛋白(RSFP)是一种可以通过调制激光，以可逆方式开关的荧光蛋白。利用RSFP在不同采样时间点的不同荧光状态(开或关)，对每个像素的荧光信号进行时间或空间相关性分析，可以显著提高图像的信噪比和对比度。超分辨率光学波动成像 (SOFI)及其变体光致变色随机光学波动成像(pcSOFI)，利用可逆光开关荧光蛋白(RSFP)的随机光开关的延时图像进行了荧光涨落相关分析，是超高分辨率成像的重要工具...
自参考太赫兹双光梳研究取得进展（图）
自参考 太赫兹 双光梳
2023/4/18
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员曹俊诚、黎华团队与华东师范大学教授曾和平团队合作，在高稳定自参考太赫兹双光梳方面取得研究进展。研究团队提出自参考方法，完全消除了THz双光梳共有载波噪声，同时抑制了重复频率噪声，将THz双光梳梳齿线宽由未稳频的2-3 MHz量级压缩至14.8 kHz，大幅提升了THz双光梳光源的稳定度。相关成果以Terahertz Semiconductor Dua...
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线正式投产（图）
氮化镓 半导体 激光器 芯片
2023/11/12
近日，飓芯科技的氮化镓（GaN）半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，柳州市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东，副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华博士，市政府秘书长刘伯臣共同见证。
近期，第二批国家级一流本科课程公示，华中科技大学光学与电子信息学院鲁平老师负责的《光纤光学》入选线上一流课程、柯昌剑老师负责的《光纤通信技术》入选线下一流课程。
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所曹俊诚、黎华研究员领衔的太赫兹（THz）光子学研究团队与华东师范大学曾和平教授团队合作，在高稳定自参考太赫兹双光梳方面取得重要研究进展。项目团队提出自参考方法，完全消除了THz双光梳共有载波噪声，同时抑制了重复频率噪声，将THz双光梳梳齿线宽由未稳频的2-3 MHz量级压缩至14.8 kHz，大幅提升了THz双光梳光源的稳定度。相关成果于2023年2月3日...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室与激光技术新体系融合创新中心在孤子锁模光纤激光器研究方面取得进展。研究团队报道了锁模光纤激光器中色散波辐射的物理机制及其时域表征。相关研究成果以“Characterization and Manipulation of Temporal Structures of Dispersive Waves in a Soliton Fiber...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队在铌酸锂薄膜有源无源的同片集成方面取得进展，相关成果以“Monolithically integrated active passive waveguide array fabricated on thin film lithium niobate using a single continuous photolithogra...
近日，在中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在新一代超强超短激光综合实验装置上开展的超强太赫兹（Terahertz，THz）脉冲实验取得重要进展，以“Generation of 13.9-mJ Terahertz Radiation from Lithium Niobate Materials”为题在线发表于Advanced Materials。该成果由北京航空航天大学和上海...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率光纤激光技术实验室的研究团队利用1064 nm的皮秒脉冲作为泵浦，使用非线性光学增益调制技术，在掺磷光纤中通过二阶级联受激拉曼散射获得了能量为33.7 nJ，脉宽为170 fs的1319 nm飞秒脉冲输出。这项工作为生物成像、三光子探测等应用提供了所需的1.3 μm 高能量飞秒脉冲光源。相关结果以“Generation of 1.3?μm femtose...
非线性光学材料是固体激光器的重要组成部分，作为基准红外非线性材料的金属硫化物AgGaS2和AgGaSe2因在红外区域的传输范围宽、非线性光学响应大等原因成为首选材料，但它们的抗激光损伤阈值较低，阻碍了其高功率应用。宽带隙和高热导率是提升抗激光损伤阈值的关键，然而，随着带隙增大，非线性光学响应和热导率均有下降的趋势，寻找具有高热导率的非线性光学晶体颇具挑战性。随着计算技术的发展，基于第一性原理的高通...
非线性光学材料是固体激光器的重要组成部分，作为基准红外非线性材料的金属硫化物AgGaS2和AgGaSe2因在红外区域的传输范围宽、非线性光学响应大等原因成为首选材料，但它们的抗激光损伤阈值较低，阻碍了其高功率应用。宽带隙和高热导率是提升抗激光损伤阈值的关键，然而，随着带隙增大，非线性光学响应和热导率均有下降的趋势，寻找具有高热导率的非线性光学晶体颇具挑战性。随着计算技术的发展，基于第一性原理的高通...
氮化镓（Gallium nitride，GaN）作为宽禁带半导体，是第三代半导体的代表性材料，其为直接带隙材料，具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点，在照明、显示、探测等多个领域有着很高的应用价值。低维（如纳米柱、量子点）GaN基材料因其独特的物理特性，受到了学术界的广泛关注。
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心在Tm:GdScO3激光晶体研究方面取得新进展，相关成果以“Tm:GdScO3: A promising crystal for continuous-wave and passively Q-switched laser at 2 μm”为题发表于Optics & Laser Technology。
近期，西湖大学理学院何睿华课题组连同研究合作者一起，发现了世界首例具有本征相干性的光阴极量子材料，其性能远超传统的光阴极材料，且无法为现有理论所解释，为光阴极研发、应用与基础理论发展打开了新的天地。
硼是周期表上第5号元素，相比于碳，硼原子最外层缺少一个电子，因而硼与硼之间能形成复杂的多中心多电子的化学键，使得低维硼单质成为结构最丰富的材料之一。由少数分子构成的硼团簇被认为是各个维度下硼单质的基本组成单元，因此受到广泛的关注和研究。例如硼三维块体和化合物的基本结构单元为二十面体的B12团簇。而平面或准平面的Bn（n=3-12，36）团簇被认为是二维硼烯形成的前驱物。早期对硼团簇的研究主要是利用...