搜索结果: 136-150 共查到“知识要闻 电子技术”相关记录2618条 . 查询时间(2.185 秒)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20244/16/202441611734869.jpg)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20233/13/202331310436590.jpg)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20237/17/202371720440935.png)
合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组荣获IEEE亚洲硬件安全与可信会议最佳论文奖(图)
黄正峰 IEEE 硬件 最佳论文奖
2023/7/17
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20233/20/202332014494871.jpg)
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件(日)
孙钱 电子器件 高性能离子
2023/7/18
氮化镓(GaN)电子器件具有更高耐压,更快的开关频率,更小导通电阻等诸多优异的特性,在功率电子器件领域有着广泛的应用前景:从低功率段的消费电子领域,到中功率段的汽车电子领域,以及高功率段的工业电子领域,目前650V级的GaN基横向功率器件(如HEMT)已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统,而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20231/5/20231520346241.png)
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展(图)
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20231/5/202315203751663.jpg)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20232/17/2023217163413855.png)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20237/23/20237238103770.jpg)
2022年12月5日,受Wiley量子领域旗舰期刊Advanced Quantum Technologies编辑的邀请,中科院合肥研究院强磁场中心杨晓萍研究员课题组在该期刊撰写综述(Review)文章,介绍了基于镍酸盐的人工异质结构材料中非常规超导研究的理论、实验进展和前沿动态。中科院合肥研究院强磁场中心为第一作者单位和通讯作者单位。文章被Wiley官方公众号报道(https://mp.weixi...
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/202212/20/2022122020494567.jpg)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/202211/26/2022112695922149.png)
中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展(图)
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
2022/11/26
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强,是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一,并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作,研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器,并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力(图1)。研究显示,局域底...
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20242/5/202425104714909.jpg)
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/202211/24/2022112413581719.jpg)
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理(图)
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能,是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...