搜索结果: 106-120 共查到“知识要闻 电子元件与器件技术”相关记录242条 . 查询时间(1.562 秒)
国家自然科学基金委员会中国学者与海外合作者实现铁电薄膜中带电畴壁的精确操控（图）
薄膜 量子材料 器件
2024/9/4
在国家自然科学基金项目（批准号：12125407、52272129、U21A2067）等资助下，浙江大学材料科学与工程学院张泽院士、田鹤教授团队与新加坡国立大学陈景升教授团队、美国内布拉斯加大学林肯分校Tsymbal教授团队合作，在纳米级厚度的铁酸铋薄膜中，构建了一种全新的、具有量化多阻态忆阻行为的面内带电畴壁，并实现了其精确操控，刷新了人们对于铁电翻转行为的认识，并为发展晶胞级的新型存储器提供了...
国家自然科学基金委员会中国学者在基于分子组装的电子器件研究方面取得进展（图）
分子 电子器件 原子
2024/9/4
在国家自然科学基金项目（批准号：T2222002、21973079、22032004、21991130、21905238）等资助下，厦门大学杨扬教授课题组基于弱键相互作用，发展了在单分子尺度实现层层组装的方法，并成功制备了原子级厚度原型器件。相关研究成果以“一种能够制备层层组装型单分子开关器件的范德华异质结策略（A van der Waals heterojunction strategy to ...
国家纳米科学中心鄢勇课题组在神经形态器件方面取得系列进展（图）
鄢勇 神经形态 器件电导
2023/8/16
当前，人工智能已然成为时代的主题与历史的必然。以冯·诺依曼架构为基础的信息处理方式在海量数据面前遭遇了极大的挑战。类脑计算由于其具备高并行、低功耗以及高容错等诸多优点成为当前研究的焦点。在核心器件层次，发现与理解电荷输运新机制是构筑优异性能器件的基础，有助于准确模拟神经突触与神经元的系列行为。
电子元器件和集成电路国际交易中心正式揭牌
电子元器件 集成电路
2023/11/12
2023年2月3日，电子元器件和集成电路国际交易中心在京正式揭牌。交易中心由中国电子信息产业集团有限公司和深圳市投资控股有限公司领衔，联合11家央企、国企和民企共同设立，致力于打造市场化运作的电子元器件、集成电路企业和产品市场准入新平台。
中国科学院合肥物质科学岛团队研发出一种光控太赫兹相位调制器（图）
光控 太赫兹元器件 电子材料 晶体
2023/7/22
2023年2月1日，中科院合肥研究院强磁场中心磁光团队成功研发了一种主动的太赫兹相位调制器。相关研究成果发表在ACS Applied Electronic Materials 国际期刊上。虽然具有优越的波谱特性和广泛的应用前景，太赫兹技术的工程应用还严重受制于太赫兹材料与太赫兹元器件的开发。为了满足不同的应用要求，太赫兹调制器件成为这一领域的研究重点。
国家自然科学基金委员会中国学者在量子系统可靠性研究方面取得新进展（图）
量子系统 器件 力学
2024/8/31
在国家自然科学基金项目（批准号：12088101、U2330401）资助下，中国工程物理研究院研究生院孙昌璞教授、杜亦牧助理研究员与北京计算科学研究中心博士生崔廉相组成的研究团队在量子可靠性研究方面取得新进展。研究成果以“量子可靠性(Quantum reliability)”为题，于2023年10月18日发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）。论文链接：https...
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展（图）
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-D...
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM（图）
东南大学 电子器件 IEDM IEEE
2023/7/17
近日，第68届IEEE国际电子器件年会(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行。东南大学刘斯扬、孙伟锋教授课题组的两项研究成果在此次会议上发表，是东南大学作为第一单位首次在IEDM会议上发表研究成果。
2084年，尽管你已经年近百岁，但抗衰老药物让你依然皮肤紧致，活力满满。而此时的脑机接口技术已经相当成熟，通过它，你用意念控制着你的股票交易账号。这也许是一段科学幻想，生命真的能和电子器件连接吗？
合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组荣获IEEE亚洲硬件安全与可信会议最佳论文奖（图）
黄正峰 IEEE 硬件 最佳论文奖
2023/7/17
合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组在IEEE亚洲硬件安全与可信会议( AsianHOST2022 ) 发表的论文“MRCO: A Multi-ring Convergence Oscillator-based High-Efficiency True Random Number Generator（基于多环汇聚振荡器的真随机数发生器）”获得了最佳论文奖（Best Paper Award）。论文的第...
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队与中国科学技术大学董春华团队、华东师范大学程亚团队以及深圳国际量子研究院刘骏秋团队合作，在硅基绝缘体上碳化硅（SiCOI）平台的微腔孤子光频梳方面取得了重要进展。研究团队在利用异质集成技术制备高Q值SiC光子微腔的基础上，采用双光束泵浦方式首次在室温下实现了SiC光学频率梳的锁模。同时，通过SiC本征的二阶非线性特性，实现了光频梳从红外到可见波段的...
