搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子电路”相关记录81条 . 查询时间(1.461 秒)
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称上海微系统所)狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展。2024年8月7日,相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》(Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors)为题,发表于国际学术期刊...
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所在三维相变存储器电路设计研究取得系列进展(图)
三维相变 电路 模型
2024/8/20
2024年7月18日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队,在三维相变存储器(3D PCM)亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展,成果发表在国际学术期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers等。
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合肥工业大学微电子学院闫爱斌教授应邀参加第54届DSN国际会议并作报告(图)
闫爱斌 第54届 DSN 电路
2024/8/1
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中国科学院微电子所在全自旋神经形态计算硬件研制及电路实现方面取得新进展(图)
神经 计算硬件 电路
2024/6/28
神经形态计算因其在AI和大数据分析中的巨大应用潜力, 在全球范围内引起了广泛关注。为克服传统CMOS晶体管技术局限,科研人员长期致力于探索基于新型非易失性存储器(NVMs)和自旋电子器件的硬件实现方案。目前,已有多种类型的NVMs被用于实现神经网络中各种运算并显示出广阔前景,其中自旋电子器件凭借自身丰富和可控的自旋动力学特性, 被认为是实现模拟突触和神经元功能的理想候选之一。
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中国科学院物理研究所基于自旋轨道力矩磁隧道结的概率分布可调真随机数发生器(图)
计算系统 材料 器件 电路
2024/6/4
传统计算系统,从材料、器件到电路、架构再到容错系统和算法设计,都在竭力避免随机性。然而,随着后摩尔时代的来临以及学界对非冯诺依曼架构兴趣的提升,人们越来越倾向于在计算架构中拥抱随机性而非本能地排斥之,特别是在天然具有随机性特征的计算中,如蒙特卡罗抽样、贝叶斯神经网络、贝叶斯推理网络、模拟/量子退火算法加速器,乃至新兴的生成式人工智能等等。
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国家自然科学基金委员会中国学者及海外合作者在软体连续体机器人的感知及交互领域取得进展(图)
机器人 柔性 电路
2024/8/30
在国家自然科学基金项目(批准号:61822303)等资助下,北京航空航天大学机械工程及自动化学院文力教授研究团队,与清华大学、新加坡国立大学的研究团队开展交叉合作,在仿生软体连续体机器人的“感知-运动-交互”方面取得重要进展。研究成果以“仿生章鱼软体机械臂的感知和环境交互(Octopus-inspired sensorized soft arm for environmental interact...
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我国科学家基于软物质材料实现可控离子传输(图)
软物质材料 可控离子传输 人工电子电路
2023/12/12
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国家自然科学基金委员会中国学者在DNA计算领域取得最新进展(图)
分子 电路 集成
2024/9/1
在国家自然科学基金项目(批准号:T2188102、21991134、21904060、22025404、22104088)等资助下,上海交通大学化学化工学院/变革性分子前沿科学中心樊春海院士与王飞副教授近期发展了一种支持通用性数字计算的DNA可编程门阵列(DNA-based programmable gate array, DPGA),可通过分子指令编程的方式实现通用数字DNA计算,实现了无衰减大...
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上海微系统在超导3D纳米桥结的基础研究方面取得重要进展(图)
超导器件 纳米 电路
2023/12/3
最近,中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒研究员、王镇研究员的研究团队在超导约瑟夫森结物理与电学表征基础研究领域取得了重要进展。研究团队通过微纳加工与测量表征技术相结合,成功实现了超导3D纳米桥结电流相位关系的精确测量,并揭示了约瑟夫森桥结的电流相位关系随着其几何尺寸缩放的变化规律,为进一步深入研究超导约瑟夫森结的物理与应用提供了有效的实验与分析表征方法。相关成果于2023年8月13日以题为“...
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华南理工大学电子与信息学院两门课程获国家一流本科课程认定(图)
一流本科 课程 数字系统设计 射频电路
2024/4/17
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中国科学院微电子所在2T0C DRAM研究取得创新进展(图)
铟镓锌氧 晶体管 电路控制
2023/8/21
动态随机存储器(DRAM)是存储器领域中的一个重要分支。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C无电容DRAM,有望突破传统1T1C-DRAM的微缩限制、高刷新率等问题。但相比传统的1T1C结构,2T0C-DRAM仍存在诸多挑战:由于其读字线与写字线位于读晶体管的源漏端,存在潜在的电流分享路径,不利于读写操作;两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂,需要更复杂的外围电路控制读写;在阵列级的DR...
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中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展(图)
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
2022/11/26
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强,是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一,并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作,研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器,并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力(图1)。研究显示,局域底...
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中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理(图)
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能,是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...
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中国科学院微电子所在超强抗辐射碳纳米管器件与电路方向取得重要进展(图)
抗辐射碳 纳米管器件 电路方向
2023/8/21
微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员合作,研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器,并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力(图1)。研究显示,局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后,仍可承受2 Mrad(Si)的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照,其综合抗辐...