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据英国《每日邮报》网站2011年11月29日(北京时间)报道,英国剑桥大学的科学家们利用“神奇材料”石墨烯“墨水”,首次使用普通的家用打印机打印出由石墨烯制成的柔性电路,最新研究突破有助于科学家们大规模廉价制造出可穿戴的电子设备。
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点,被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前,中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下,分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上,成功研制出高性能的石墨烯电子器件。
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点,被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前,中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下,分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上,成功研制出高性能的石墨烯电子器件。
基于石墨烯透明、软性、能带结构连续可调、电子迁移率高等一系列优点,着眼于石墨烯与其他半导体光电功能材料的复合,对石墨烯在有机和无机发光二极管、太阳能电池、纳米发电机等方面的应用和研究进展进行了介绍。
近年来石墨烯材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注,英国曼彻斯特大学科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫因在石墨烯方面的研究荣获获得2010年度的诺贝尔物理学奖。石墨烯由单层碳原子的二维六角格子构成,其低能能带呈现出无质量手征的Dirac电子特征,其布里渊区包含K和K’两个不等价的能谷。石墨烯中的这两个谷由时间反演对称性相联系,这与电子自旋十分类似。所以石墨烯的谷自由度可视为赝自旋,并可...
光控石墨烯传感器     石墨烯  传感器       2011/11/10
英国国家物理实验室(NPL)和国际科学家团队一起,共同研究发现了如何利用光来控制石墨烯的电性能:当石墨烯被光敏聚合物包裹时,其独特的电性能可以被精确控制,聚合物同时还能够保护石墨烯不被污染。经过此番改进的石墨烯芯片已经被NPL用于量子电阻的超精确测量。
采用还原氧化石墨法制备了石墨烯材料, 运用X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、充放电、循环伏安和电化学阻抗谱(EIS)等对其结构、表面形貌和电化学嵌锂性能进行了表征. XRD, SEM 和AFM 研究结果表明, 所制备的材料主要为层数少于10 层的石墨烯材料; 充放电结果表明, 石墨烯材料电极具有较高的可逆容量和较好的循环性能, 但也存在较大的首次不可逆容量,...
柔性石墨烯忆阻器     石墨烯  忆阻器       2011/11/10
最近,韩国电子通信研究院(ETRI)、韩国高等科学技术研究院(KAIST)等机构的研究人员合作,利用氧化石墨烯薄膜制作出了一种柔性非易失性存储器——基于2008 年发现的忆阻器这一基本电路元件。忆阻器给新一代高密度、低价、低功耗存储器带来了希望,它们通常是用金属氧化物薄膜制备。这种新型氧化石墨烯设备将可以制作得更便宜、更简单——它们可以印刷在塑料卷板上,可以用于塑料RFID 标签或未来的可穿戴式电...
石墨烯2.0——新材料 新方法     石墨烯  材料  方法       2011/11/10
作为晶体管的适用材料之一,石墨烯禁带宽度为零的特点导致晶体管通断比过小。传统剥离法和晶体生长法制备的石墨烯都必须通过将大尺寸薄片裁剪到纳米尺度以扩大其禁带宽度,但同时也会使其形状不规则、纯度不高及不适于大规模生产。
据美国麻省理工学院《技术评论》杂志报道,韩国研究人员首次制造出了由多层石墨烯和玻璃纤维聚酯片基底组成的柔性透明显示屏。
据美国麻省理工学院《技术评论》杂志报道,韩国研究人员首次制造出了由多层石墨烯和玻璃纤维聚酯片基底组成的柔性透明显示屏。厚度仅为一个原子的石墨烯拥有超凡的坚硬度、柔韧度、透明度和导电性,可以广泛应用于触摸屏和太阳能电池的制造中。阻碍石墨烯技术快速发展的壁垒则是制造出大尺寸的单层石墨烯
美国宾州州立大学光电研究中心(Electro-Optics Center,EOC)的David Snyder、 Randy Cavalero 通过硅升华方法,在高温炉中热处理SiC晶片,得到1-2个原子层厚 度的石墨烯。所采用的SiC 直径达100 mm,是商业化应用最大的尺寸。他们正在这 100 mm 的石墨烯晶片上制备场效应晶体管,并将在今年早些时候开展晶体管性能测试。下一步,他们计划提高由S...
IBM公司研究人员发现具有最高截止频率的射频石墨烯晶体管,频率为100 GHz,高于迄今所有石墨烯设备。项目由美国国防部高等研究计划局(DARPA )资助,旨在开发新一代通信设备。
在刚刚出版的《科学》杂志上,IBM的研究人员展示了一种由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管(FET),其截止频率可达100吉赫兹(GHz),这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。这一成就是美国国防部高级研究计划局“碳电子射频应用项目”取得的重大进展,为研发下一代通信设备铺平了道路。
富士通实验室日前宣布,采用化学气相沉积技术(CVD)在温度较低的条件下直接在大尺寸绝缘衬底上全面生成石墨烯晶体管。富士通将石墨烯制造温度明显地降低到650℃,使得石墨烯晶体管可以直接在多种绝缘衬底直接生成。在整个晶片表面进行多层石墨烯的低温合成通CVD控制石墨烯的厚度。使用石墨烯作为沟道材料的晶体管生成过程如下图所示,由于过程不受尺寸限制,因此可运用于大尺寸晶片,测试晶片尺寸为77毫米但新技术可应...

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