搜索结果: 121-135 共查到“电子技术 芯片”相关记录246条 . 查询时间(0.106 秒)
Intel宣布全新Atom核心系统芯片
Atom核心 系统 芯片
2011/10/31
在北京召开的信息技术峰会(IDF)上，Intel又介绍了新的系统芯片(SoC)计划，基于Atom处理器核心。
分析称今年TD芯片整体出货或达2000万
TD芯片 出货 突破
2011/10/31
从芯片厂商ST-Ericsson了解到，加上今年前3个月，ST-Ericsson旗下子公司天碁（T3G）的TD-SCDMA芯片累计出货已经突破1000万片。
成都成英特尔全球最大芯片封装测试中心之一
英特尔 芯片 封装 测试
2011/10/31
2010年4月26日，英特尔成都芯片封装测试厂第4.8亿颗芯片下线，最先进的2010全新酷睿移动处理器正式投产。至此，成都成为英特尔全球最大芯片封装测试中心之一。
作为中国唯一的英特尔芯片封装测试中心，成都厂已封装测试4．8亿颗芯片，确立了其在英特尔全球布局中的重要地位。2010年下半年，成都工厂还将建设成为英特尔全球集中进行晶圆预处理的三大工厂之一，成为全球封装测试来料的重要供应基地。
微电子所成功研制国内首款可产业化的IGBT芯片（图）
可产业化 芯片
2011/11/4
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。
中国科学院微电子研究所成功研制国内首款可产业化IGBT芯片（图）
中国科学院 国内首款 IGBT芯片
2010/4/2
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。
中科院微电子所首次实现高端芯片国产化高密度封装（图）
微电子所 高端芯片 高密度封装
2010/4/2
近日，一款用于计算机多CPU高速互连的高性能专用交换芯片在中国科学院微电子研究所系统封装技术研究室封装成功。实现此类高端芯片完全国产化的高密度封装，这在国内还是首次。这标志着我国不但可独立自主完成高频、高密度芯片的封装设计，而且还标志了可以依靠国内技术进行高密度低成本的封装制造。
微电子所在高端芯片国产化封装技术上取得重大突破（图）
芯片 封装 突破
2011/11/4
近日，一款用于计算机多CPU高速互连的高性能专用交换芯片在中国科学院微电子研究所系统封装技术研究室封装成功。实现此类高端芯片完全国产化的高密度封装，这在国内还是首次。这标志着我国不但可独立自主完成高频、高密度芯片的封装设计，而且还标志了可以依靠国内技术进行高密度低成本的封装制造。
近日，一款用于计算机多CPU高速互连的高性能专用交换芯片在中国科学院微电子研究所系统封装技术研究室封装成功。实现此类高端芯片完全国产化的高密度封装，这在国内还是首次。这标志着我国不但可独立自主完成高频、高密度芯片的封装设计，而且还标志了可以依靠国内技术进行高密度低成本的封装制造。
该款芯片封装为FCBGA形式，I/O数超过1000 pin，采用6层高密度普通材料基板，封装面积为42x42平方毫...
晶科电子芯片模组亮度再创新高（图）
芯片模组 亮度 新高
2011/11/1
据LED业内人士证实，晶科电子（广州）有限公司采用具有自主知识产权的倒装焊技术生产大功率芯片模组（4颗1W芯片倒装而成），芯片尺寸只有3.36x3.36mm2,近日又创亮度历史新高。此芯片模组在电压6.6V，电流700mA下测试，白光封装光通量达到422.4lm,光效达到91.4lm/W。现晶科电子已开始批量生产此高亮度芯片模组，并向市场推广，已得到不少客户广泛好评,使LED照明普及事业又向前迈进...
三星高层：2011年亚太区将消费全球七成芯片产出
亚太区 消费 全球 芯片
2011/11/3
随着半导体景气回温，大厂纷纷提高资本支出，SEMI表示，前不久在韩国首尔举行的SEMICON国际半导体展的会场相当热络，吸引近3万人观展，而三星、日月光更到场进行开幕演讲，会场中充满了对未来短、长期的乐观气氛。
三星首家量产40nm级工艺4GbDDR3绿色内存芯片
工艺 内存 芯片
2011/11/3
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代产品降低35％，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
美光Intel将重启新加坡300mm闪存芯片厂兴建计划
闪存芯片厂 兴建计划
2011/11/3
据Lazard资本市场公司的分析师DanielAmir预计，美光与Intel的合资闪存公司IMFlash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂，不过后来公司宣布由于业务方面的原因暂缓执行这项计划。目前IMFlash公司旗下仅在犹他州拥有一间300mm芯片厂。
Globalfoundries三年内欲夺30%全球芯片代工
全球 芯片代工
2011/11/3
据国外媒体报道，Globalfoundries公司最大股东、阿布扎比国家主权投资基金ATIC(Advanced Technology Investment Company)上周四称，Global found ries将在三年内夺取全球芯片代工行业30%的市场份额。
三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
批量 纳米 内存芯片
2011/11/3
据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。
