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搜索结果: 1-10 共查到物理学 Oxidation相关记录10条 . 查询时间(0.064 秒)
Kinetics of silicon dry oxidation are investigated theoretically and experimentally at low temperature in the nanometer range where the limits of the Deal and Grove model becomes critical.Based on a f...
We examine the cavity resonance tuning of high-Q silicon photonic crystal heterostructures by localized laser-assisted thermal oxidation using a 532 nm continuous wave laser focused to a 2.5 m radius...
It is known that a higher concentration of free carriers leads to a higher oxide growth rate in the thermal oxidation of silicon. However, the role of electrons and holes in oxidation chemistry is not...
The ability to protect refined metals from reactive environments is vital to many industrial and academic applications. Current solutions, however, typically introduce several negative effects, includ...
About 20 Å of hafnium were deposited on silicon substrates using the electron beam evaporation technique. Two types of samples were investigated. In one type, the substrate was kept at the...
专著信息 书名 Effect of plasma niobizing on oxidation resistance of TiAl intermetallics 语种 英文 撰写或编译 作者 Zheng CL,Cui FZ,Xu Z 第一作者单位 出版社 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 174: 1014-1017 SEP-OCT 2003 出版地 出版日期 2003...
期刊信息 篇名 Heterogeneous oxidation of carbonyl sulfide on atmospheric Particles and Alumina 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Hong He*,Junfeng Liu,Yujing Mu,Yunbo Yu 第一作者单位 RCEES,Chinese Academy of Sciences 刊物名称 Environ...
期刊信息 篇名 Mechanism of Heterogeneous Oxidation of Carbonyl Sulfide on Al2O3: An In Situ Diffuse Reflectance Infrared Fourier Transform Spectroscopy Investigation 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Junfeng Liu,Yunbo Yu,Y...
Oxidation behavior of Fe3Al nanoparticles           2007/7/28
期刊信息 篇名 Oxidation behavior of Fe3Al nanoparticles 语种 英文 撰写或编译 作者 Tong Liu,Huaiyu Shao,Xingguo Li 第一作者单位 刊物名称 Nanotechnology 页面 14 (2003) 542-545. 代 出版日期 2003年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 等离子体化学与纳米超微粉的合成、特性及应用...
Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were produced by electron beam evaporation of Al2O3 on InP. Polyphosphate thin films of thickness 100-150 Å were used to passivate the interface In...

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