搜索结果: 1-14 共查到“物理学 Sn”相关记录14条 . 查询时间(0.258 秒)
交流磁场对Sn-20%Pb合金电阻的影响
交流磁场 电阻 Sn-20%Pb合金
2013/11/21
在不同温度测量Sn-20%Pb合金直流电阻时, 沿纵向施加交流磁场. 结果发现: 对固态样品, 无论是在室温还是在接近固相线的温度, 磁场都没有引起电阻增加. 对液态样品, 施加磁场后, 电阻开始逐渐增大, 停止施加磁场, 增大的电阻维持一段时间不变后, 才缓慢恢复到施加磁场前的初始值. 金相显微镜和扫描电镜结果表明, 交流磁场不仅使初生β-Sn的晶粒明显细化, 还使Pb在初生β-Sn的晶粒内的含...
Anomalous pairing vibration in neutron-rich Sn isotopes beyond the N=82 magic number
neutron-rich Sn Anomalous pairing vibration
2011/7/20
Two-neutron transfer associated with the pair correlation in superfluid neutron-rich nuclei is studied with focus on low-lying $0^+$ states in Sn isotopes beyond the N=82 magic number.
SN方法粒子输运计算程序自动建模关键技术问题研究
SN方法 CAD 建模 SNAM
2009/11/30
在充分调研和分析SN方法粒子输运计算程序自动建模方法的基础上，对建模过程中的模型文件格式识别、属性编辑、空腔处理及自动划分离散网格等关键技术问题进行了研究，并提出了合理可行的解决方法。通过对SNAM程序建模部分功能测试，验证了这些方法的正确性和有效性。
$^{118}$Sn侵入轨道带的结构演化研究
侵入轨道带 准粒子顺排 结构演化
2009/9/9
利用在束谱学实验技术，通过116Cd(7Li, 1p4n)反应布居了118Sn的高自旋态，并对其侵入轨道带结构进行了研究。细致分析实验测量结果，将此侵入轨道带推高到自旋为(16+)激发能为7187 ke的能级。基于实验顺排角动量和E-GOS曲线讨论了侵入轨道带随着转动频率的增加其结构的演化情况。
用一个特殊的表示空间计算Sn群[n—1,1]表示的实正交形式
置换群 不可约表示 表示空间
2009/7/20
利用一个特殊的表示空间, 给出了Sn群表示[n—1, 1]的实正交形式的一般公式. 并举例说明了该技巧的一个应用.
利用同位旋相关的量子分子动力学模型,研究了112Sn+112Sn和124)Sn+124Sn两个反应系统在入射能量E=40MeV/u时的多重碎裂.计算结果能与实验值定性符合.观察到两个反应系统中,中等质量碎片多重性、中子多重性、荷电粒子多重性与轻荷电粒子多重性之间的关联存在着明显的差别.另外,通过与膨胀蒸发源模型及同位旋相关的渗透模型分析结果的比较,发现这种差别主要是由同位旋相关的反应动力学所造成的...
从Sn质子滴线核到Sn中子滴线核的自旋对称性和赝自旋对称性
赝自旋对称性 自旋对称性 相对论平均场理论
2009/6/3
在球形相对论平均场模型下, 采用NLSH相互作用全面研究了从Sn质子滴线核到Sn中子滴线核的自旋对称性和赝自旋对称性. 发现: 1) 随着核子数的增大, 中子和质子的赝自旋波函数劈裂基本上都是减小的, 并且质子的变化趋势更加明显. 中子高能级的自旋波函数劈裂随着核子数的增大也是减小的. 2) 对于特定的同位素, 当n=1时, 赝自旋波函数劈裂随着l的增大而增大. 当n=2时, 中子的自旋波函数劈裂...
Sn偶同位素准转动带的微观研究
微观研究 准转动带 Sn偶同位素
2009/5/25
在相互作用玻色子模型微观基础的研究方面,曾提出过以玻色子展开和修正的Jancovici-Schiff代换为基础的理论方案.本文反方案扩充到有中子、质子和质子空穴三种玻色子的情况,用它研究Sn偶同位素由质子2p-2h激发组态混入形成的准转动带.计算结果与实验能谱作了比较并讨论了组态混合的一些特性.
自洽处理对关联的RMF+SLAP方法对Sn核性质的研究
相对论平均场理论 对关联 类壳模型方法 Sn同位素
2008/9/28
在自洽的相对论平均场理论框架下, 用严格保持粒子数守恒的类壳模型方法, 即RMF+SLAP方法,研究了Sn同位素链的性质并与没有考虑对关联对平均势场影响的非自洽计算进行了比较.结果表明, 自洽的RMF+SLAP方法能够正确给出原子核形变随平均对力强度的变化, 给出Sn同位素链的每核子结合能, 单中子与双中子分离能, 四极形变随质量数A的变化等的很好描述.表明了研究原子核性质时, 正确和自洽处理对关...
C,Al,Cu,Sn,Pb等原子核对高能π+,K+介子及质子的吸收截面
2007/12/13
在联合原子核研究所同步稳相加速器上,研究了高能π+、K+介子和原子核的相互作用。利用角度式气体契连科夫速度选择器,选择出纯度约达99％的K+介子束。测量了C,Al,Cu,Sn,Pb等原子核对动量为2.72,3.70,4.75Бэв/с的π+介子的吸收截面;C,Al,Cu等原子核对动量为4.75Бэв/с的K+介子的吸收截面;C,Sn,Pb等原子核对动量为2.72Бэв/с的质子的吸收截面。利用光学...
Synthesis and Characterization of Highly Transparent and Conductive SnO2:F and In2O3:Sn thin Films Deposited by Spray Pyrolysis
Thin films Spray pyrolysis
2010/9/29
Highly transparent and conductive thin films of SnO2:F and In2O3:Sn (ITO) have been prepared on glass substrates using the simple pyrolitic (spray) method. Through an exhaustive parameter study and us...
Role of Sn in the Density of Defect States in a-Se0.75Te0.25 and a-Se0.85Te0.15Thin Films
Thin films Chalcogenide glasses SCLC DOS
2010/4/9
In this paper we report the effect of Sn incorporation in the density of defect states of two binary Se-Te glassy systems, comparing the properties of a-Se0.75Te0.25, a-Se0.85Te0.15 and a-Se0.75Te0.15...
Implantation of 111In in the Heusler Alloys Pd2MnZ (Z=Sn,Sb,Ge,In) Following Heavy Ion Nuclear Reactions: Measurement of Magnetic Hyperfine Field using PAC Spectroscopy
Magnetic Hyperfine Field PAC Spectroscopy the Heusler Alloys Pd2MnZ
2010/10/15
Ion implantation of the recoil 111In nuclei following heavy ion nuclear reactions 108Pd(7Li,4n)111In and 108Pd(6Li,3n)111In has been used to implant 111In probes in the Heusler alloys Pd2MnZ(Z=Sn,Sb,G...
The Relation Between Dislocation Density and Crystal Crosscut in b-Sn Grown by Modified Bridgman Method
Dislocation Density Crystal Crosscut b-Sn Grown
2010/4/19
Crystals b-Sn are grown from ingots of 99.99% purity by modified Bridgman method under 10-3 torr pressure and oriented by Laue back reflection method. The relation between crystal crosscut and disloca...