搜索结果: 1-8 共查到“电子物理学 a-Si:H”相关记录8条 . 查询时间(0.218 秒)
α-Si∶H光电发射的漂移场模型
光阴极 非晶硅 量子效率
2009/11/17
本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的α-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n α-Si∶H/Bi2S3或SnO2-α-Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它们的量子效率和积分灵敏度。二者的量子效率为1-10,灵敏度为103-105μA/lm。外场模型的实验表明,结构设计是正确的。
Ar离子辐照单晶Si引起的顺磁缺陷研究
Ar离子辐照 缺陷 电子顺磁共振 等时退火
2009/6/12
采用电子顺磁共振研究了112MeVAr离子50K以下的低温辐照的单晶Si中缺陷产生和退火效应.结果表明:Ar离子辐照Si引起了中性四空位(Si-P3心).非晶化区域等缺陷的形成,Si-P3心分布在电子能损起主导作用的辐照区域,并在200℃的退火温度消失,伴随着四空位的退火,复杂的空位团,如Si-P1心.Si-A11心等出现,并保持到较高的温度.孤立的非晶区域的完全再结晶发生在350℃左右的退火温度...
Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟
Ge/Si量子阱 C-V 特性法 迭代法
2008/10/24
采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布，并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性. C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征，它与量子阱结构参数有密切的关系. 随着覆盖层厚度的减小，C-V曲线上平台起始点的电容值增加，并且向低电压方向移动直至其消失. 随着量子阱中的掺杂浓度提高，阱中的载流子...
LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究
语种
中文
撰写或编译
作者
陈建新
第一作者单位
刊物名称
半导体学报
页面
1996年第17卷第12期，P886
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
CH3CN on Si(001): Adsorption Geometries and Electronic Structure
CH3CN Adsorption Geometries Electronic Structure
2010/10/22
In this work we employ the state of the art pseudopotential method, within a generalized gradient approximation to the density functional theory, to investigate the adsorption process of acetonitrile ...
The Temperature Dependence of the Electronic Structure of Si d-doped GaAs
d-doped GaAs electronic structure temperature-dependence
2010/4/13
We investigated theoretically the change of electronic properties of Si d-doped GaAs layer as a function of temperature. We studied the influence of temperature on the donor concentration for a nonuni...
Production and Structure of Rapidly Solidified Al-Si Alloys
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2010/4/14
Al-Si alloys with compositions 8, 12, 16wt% Si were manufactured by chill casting and melt-spinning (MS) methods. The resulting ribbon samples have been characterized by optical and scanning electron ...
Statistics and Size-Quantized Anisotropy of Electron States in n-Ge and n-Si Films
Statistics Size-Quantized Anisotropy Electron States n-Ge n-Si Films
2010/4/19
The wave functions and energy spectrum of electrons in size-quantized n-Ge and n-Si films are obtained and the anisotropy of the electron state density is investigated. Also, the analytical expression...