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搜索结果: 1-9 共查到晶体学 石墨烯相关记录9条 . 查询时间(0.14 秒)
2024年4月2日,上海交通大学史志文教授团队与合作者在Nature上发表题为“Graphene nanoribbons grown in hBN stacks for high-performance electronics”的研究论文。该研究开发了一种生长石墨烯纳米带的全新方法,成功实现了超高质量石墨烯纳米带在氮化硼层间的嵌入式生长,形成“原位封装”的石墨烯纳米带结构,并演示了所生长的石墨烯纳...
中国科学院金属研究所专利:一种高质量大尺寸单晶石墨烯的制备方法
近年来,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室高鸿钧院士带领研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展了系统的研究和探索,取得了一系列重要研究成果。在早期的研究工作中,他们发现在过渡金属表面外延生长的石墨烯具有大面积、高质量、连续、层数可控等优点 [Chin. Phys. 16, 3151 (2007); Adv. Mater. 2...
中国科学院理化技术研究所研究员耿建新团队,利用GO与沸石晶体不同晶面间的选择性作用,实现了在石墨烯体系中无机材料结晶的可控生长,制备了高分散、多晶面、含多级孔结构、沿c轴取向生长的Si-ZSM-5沸石晶体。如图所示,通过在无溶剂合成中添加GO,抑制了Si-ZSM-5沸石晶体的聚集,得到了高分散的Si-ZSM-5晶体;研究发现,随着GO在无溶剂合成中添加量的增加,Si-ZSM-5晶体沿c轴取向生长的...
美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷(p型)的还原氧化石墨烯(rGO)转化为带负电荷(n型)还原氧化石墨烯的技术,该技术可用于开发基于还原氧化石墨烯的晶体管,有望在电子设备中得到应用。
利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs)。原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大。电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率。转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103。基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效...
据美国《大众科学》网站近日报道,美国IBM公司的科学家研制出了首款由石墨烯圆片制成的集成电路,向开发石墨烯计算机芯片前进了一步。科学家们认为,这项突破可能预示着,未来可用石墨烯圆片来替代硅晶片,相关研究发表在最新一期《科学》杂志上。
最近,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室高鸿钧研究组成功制备毫米级高度有序的、连续的、单晶的石墨烯。相关结果发表在2008年12月30 日的Adv. Mater. 上。该研究组博士生潘毅等人通过优化生长条件获得了理想的毫米级外延石墨烯二维单晶材料,并以详尽的实验与理论研究对此进行了证实。低能电子衍射(LEED)结果证实了石墨烯样品的毫米级的高度有序性。扫描隧道显微镜的研究结果表明石墨烯...
在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下,化学所有机固体院重点实验室的研究人员在有机场效应晶体管的研究方面又取得了新进展,有关研究成果发表在近期的Adv. Mater. (2008, 20, 3289-3293)上。近年来,作为有机光电器件重要组成部分,有机场效应晶体管受到了学术界和工业界的关注。目前高性能有机场效应晶体管的性能已基本达到了实用化的要求。在此前的研究报道中,化学所有机固体院...

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