搜索结果: 1-5 共查到“等离子体物理学 a-Si:H”相关记录5条 . 查询时间(0.388 秒)
利用磁过滤电弧离子镀技术在高速钢基体上制备了不同Si含量的Ti-Al-Si-N薄膜, 研究了Si含量对薄膜组织结构以及力学性能的影响. 结果表明, Ti-Al-Si-N薄膜主要由晶态TiAlN和非晶态的Si3N4组成, 随着Si含量的增加, XRD衍射峰强度减弱, 晶粒尺寸减小; 薄膜的显微组织也由明显的柱状晶转变为致密的纳米晶结构. 利用纳米硬度仪对薄膜的硬度和弹性模量进行了分析, 结果表明, ...
室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800°C高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160...
高剂量Ar离子辐照Si缺陷产生及其退火行为EPR研究
Ar离子辐照 缺陷产生 电子顺磁共振 等时退火
2009/6/12
离子在50K以下的低温辐照Si到8×1014/cm2剂量,室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐照引起的缺陷产生及其退火行为,结果表明:Ar离子辐照在Si中引起了中性四空位(Si-P3心)､带正电荷的〈100〉劈裂的双间隙子(Si-P6心)以及连续的非晶层3种缺陷的形成. 在200℃的退火温度,Si-P3心和Si-P6心消失,这时带负电荷的五空位(Si-P1心)开始生长,Si-P1心可...
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响. Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的, 注入剂量为2×1014cm－2. Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生: 一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂量5×1016cm－2,并经800°C退火1h; 二是采用0.5MeV F或O离子辐照单晶Si到剂量5×1015cm－2.结果显示, 不同...