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4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究
4H-SiC 快中子产额测量 注量响应
2022/3/22
为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性，利用强流氘氚聚变中子发生器（HighIntensityDeuterium-TritiumFusionNeutronGenerator，HINEG）测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱，高能段反应特征峰清晰可辨，12C（n，α0）9Be特征峰的半峰全宽（FullWidthatHalfMaximum，FWHM）为190?...
铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究
傅立叶变换红外光谱 离子注入 卢瑟福背散射分析
2009/11/27
主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层，波数在960—1450cm^-1范围内出现了干涉带，干涉带强度随着退火温度的升高而 变弱。1373K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示，一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。