搜索结果: 1-8 共查到“化学 GaN”相关记录8条 . 查询时间(0.066 秒)
近日，南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展，相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。
基于金属元素钯具有的催化特性, 采用射频磁控溅射方法, 在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜, 然后在950 ℃下对薄膜进行氨化, 制备出大量GaN纳米线. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析. 结果表明, 制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线, 直径在20...
采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G*水平上, 对(GaN)n(n=2~10)系列团簇的结构进行优化, 并对体系的成键特性、光电子能谱及极化率进行了计算与分析, 得到了(GaN)n(n=2~10)团簇的最稳定结构. 结果表明, 在所研究的团簇中, Ga5N5, Ga9N9的基态结构最稳定. 当n≤5时, 其基态几何结构大多为平面结构; N—N键在这些团簇的形成过程中起决定性的作用...
Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性
氮化镓 纳米线 单晶 Mg掺杂
2010/1/14
利用类似Delta掺杂技术在硅衬底上沉积Mg:Ga2O3薄膜, 然后在850 ℃下对薄膜进行氨化, 反应后制备出大量Mg掺杂GaN纳米线. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.结果表明, Mg掺杂GaN纳米线具有六方纤锌矿单晶结构, 纳米线的直径在30-50 nm范围内, 长度为几十微米.
GaN纳米棒的催化合成及其发光特性
GaN 纳米棒 单晶 发光
2010/1/26
使用稀土元素Tb作催化剂, 通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜, 成功制备出GaN纳米棒. X射线衍射测试显示, GaN纳米棒具有六方结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出, 纳米棒为单晶GaN, 纳米棒的直径为50-150 nm, 长度约10 μm. 光致发光谱在368.6 nm处有一强的紫外发光峰, 说明纳米棒具有良好的发光特性. 讨论了GaN纳米棒...
期刊信息
篇名
Synthesis and structure of nanocrystal-assembled bulk GaN
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
X.L.Chen,et al.
第一作者单位
刊物名称
J. Cryst. Growth
页面
209（2000）208-212
出版日期
年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
GaN晶体片生长机制的探索
期刊信息
篇名
Synthesis and structure ofnanocrystal-assembled bulk GaN
语种
英文
撰写或编译
作者
X.L. Chen, Y.G. Cao
第一作者单位
刊物名称
J. Crystal Growth
页面
2000,209, 208-212
出版日期
2000年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
GaN单晶生长的研究
期刊信息
篇名
Synthesis and Raman scattering of GaN nanorings, nanoribbons and nanowires
语种
英文
撰写或编译
作者
Z.J.Li, X.L.Chen
第一作者单位
刊物名称
Appl. Phys. A
页面
2001,72, 629-632
出版日期
2001年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
GaN单晶生长的...