搜索结果: 1-12 共查到“化学 n-InP”相关记录12条 . 查询时间(0.046 秒)
中国科学院微电子研究所专利：一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法
Ag:InP/ZnSe纳米晶的合成与生物成像
Ag:InP/ZnSe 纳米晶 近红外荧光 生物成像
2019/1/22
采用高温热注入法，以P[N（CH3）2]3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag：InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱（UV-Vis-NIR）、荧光光谱、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等对产物的结构和光学性质进行了表征，并分析了Ag掺杂浓度和温度对InP纳米晶荧光性能的影响.通过调节Ag掺杂浓度和反应温度，发现当Ag掺杂量为6%，反应温度为200℃时，Ag：InP纳米晶...
n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中光脉冲暂态行为(IV)
磷化铟 半导体电极 光电化学 光脉冲暂态技术
2009/12/11
研究了波长、温度及表面处理对n-InP光脉冲暂态行为的影响. 结果表明, 波长对时间常数无影响; 随着温度升高, 峰值下降, 衰减变快. 讨论了表面处理的影响, 并对实验结果作了必要的解释.
氯分子束与InP(100)表面反应散射的角分布研究
分子束 反应散射 飞行时间谱 InP
2010/2/2
采用角分辨分子束散射技术研究了Cl_2与InP(100)表面热反应和激光诱导反应产物的角分布. 对于热反应, 由调制分子束和可转动四极质谱仪测得产物离子InCl~+、InCl_2~+、PCl~+、PCl_2~+和P_4~+的角分布, 都可用cos~(1.5)θ函数报合. 对于紫外(355 nm)激光诱导反应, 由飞行时间质谱法测得主要产物离子的角分布明显地偏离Knudsen定律. 其中In~+, ...
n-InP/Fe3+, Fe2+界面在小信号电流阶跃下的暂态行为
磷化铟 半导体电极 光电化学 暂态方法
2010/2/4
应用小信号电流阶跃法研究了光照下n-InP/Fe~(3+), Fe~(2+)界面, 此时电位变化符合双指数规律, 这和理论推导是一致的。在时间很短时, 电位与时间成线性关系, 从直线斜率可求出空间电荷区电容。
n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中复阻抗的计算机拟合分析
复阻抗 Fe3+/Fe2+溶液 n-InP
2010/2/22
本文测定了不同电位及不同光强下, n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中的复阻抗图, 从一个等放电路用计算机对结果进行了拟合, 并对拟合结果进行了讨论。
应用光脉冲技术借助计算机由FFT运算测定了n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中复收集率图, 结果为一第四象限内半园, 由理论模型从园心位置、园半径及特征频率可算出三个动力学参数; 研究了电极电位及光强对这些参数的影响, 并对结果进行了讨论。