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中国科学院微电子研究所专利：一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法
n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中光脉冲暂态行为(IV)
磷化铟 半导体电极 光电化学 光脉冲暂态技术
2009/12/11
研究了波长、温度及表面处理对n-InP光脉冲暂态行为的影响. 结果表明, 波长对时间常数无影响; 随着温度升高, 峰值下降, 衰减变快. 讨论了表面处理的影响, 并对实验结果作了必要的解释.
氯分子束与InP(100)表面反应散射的角分布研究
分子束 反应散射 飞行时间谱 InP
2010/2/2
采用角分辨分子束散射技术研究了Cl_2与InP(100)表面热反应和激光诱导反应产物的角分布. 对于热反应, 由调制分子束和可转动四极质谱仪测得产物离子InCl~+、InCl_2~+、PCl~+、PCl_2~+和P_4~+的角分布, 都可用cos~(1.5)θ函数报合. 对于紫外(355 nm)激光诱导反应, 由飞行时间质谱法测得主要产物离子的角分布明显地偏离Knudsen定律. 其中In~+, ...
n-InP/Fe3+, Fe2+界面在小信号电流阶跃下的暂态行为
磷化铟 半导体电极 光电化学 暂态方法
2010/2/4
应用小信号电流阶跃法研究了光照下n-InP/Fe~(3+), Fe~(2+)界面, 此时电位变化符合双指数规律, 这和理论推导是一致的。在时间很短时, 电位与时间成线性关系, 从直线斜率可求出空间电荷区电容。
n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中复阻抗的计算机拟合分析
复阻抗 Fe3+/Fe2+溶液 n-InP
2010/2/22
本文测定了不同电位及不同光强下, n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中的复阻抗图, 从一个等放电路用计算机对结果进行了拟合, 并对拟合结果进行了讨论。