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利用示踪252Cf中子源的材料鉴别技术
中子源 无损检测 中子-伽马射线吸收测量 中子飞行时间技术
2011/8/24
本文叙述了利用252Cf裂变中子源结合飞行时间技术对包裹进行无损检测的可行性研究，通过联合测量中子和伽玛射线的吸收谱确定样品的平均原子序数，完成被测材料的鉴定。实验采用自发裂变的252Cf中子源作为白中子源和伽马射线源，用塑料闪烁探测器探测中子和伽马射线。通过LabVIEW程序控制步进电机运动并整合获取的实验数据，实现了待测样品断层扫描数据采集工作的自动化。在对闪烁探测器进行能量和时间刻度后，对几...
基于252Cf裂变中子源的核信息系统频谱分析
裂变中子源 核信息系统 频谱分析
2009/11/26
针对252Cf裂变中子源所构造的核信息系统，在阐述随机核信号功率谱密度的算法原理基础上，借助于Matlab分析工具，采用分块平均法，对系统3个测量通道的随机核信号，先做相关计算，再对总的相关函数进行傅里叶变换，求得总功率谱，最后做平均得到所需的功率谱密度，得到了核信息系统的频谱图，并获得了相关函数多重性、相干性和功率谱密度比等重要参数。
一种252Cf裂变中子源的中子、γ射线飞行时间谱测量新方法
飞行时间谱 脉冲序列 纳秒精度
2009/11/3
针对252Cf快中子、γ射线的飞行时间谱测量要求，提出并建立一种基于高速数据采集卡的新型测量系统。采用1 GHz高速A/D转换单元和现场可编程门阵列高速处理单元，进行脉冲时间序列的在线检测，时间精度为1 ns。使用相关函数法，通过PC机的数据处理、互相关函数计算和数值统计等实现中子、γ射线飞行时间谱的测量。实验结果表明，该系统可以获得252Cf自发裂变中子源的中子、γ射线飞行时间谱，与经典的飞行时...
薄壁快脉冲252Cf裂变电离室的研制及性能测试
裂变 252Cf 薄壁快脉冲
2009/10/29
介绍了用于中子探测器效率刻度的薄壁快脉冲252Cf裂变电离室。 在用飞行时间法测量中子能谱时， 该裂变电离室能够给出252Cf裂变中子发射时刻信号， 输出脉冲上升时间约为5.5 ns， 电离室由厚度为0.15 mm的不锈钢构成。 测试结果表明， 对裂变碎片的探测效率为99.2%， α粒子脉冲幅度和碎片脉冲幅度可清晰分开。
252Cf源辐射背景对X光闪光照相光电接收系统的影响
光电接收系统 转换屏 辐射损伤
2009/8/25
在有核环境下的X光闪光照相中，为保证CCD光电接收系统的安全和有效使用，开展了科研所需剂量的辐射背景对闪光照相光电接收系统影响的研究。理论分析结果表明:科研要求的辐射剂量远小于X光闪光照相光电接收系统各器件的辐射损伤阈值，不会造成辐射损伤；辐射背景在CCD相机图像上形成的本底灰度对成像质量的影响很小。实验结果显示，通过建立和选择适当的屏蔽方式可以保证以下两点:一是科研所需剂量的辐射背景在CCD相机...
功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究
单粒子 MOSFET器件
2009/1/16
本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术，对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明：在空间辐射环境下，功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内；在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。