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XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度
4H-SiC 同质外延生长 X射线衍射 位错密度
2011/4/26
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106 cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响，得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试，采用不同晶面衍射峰，计算出样品的位错密度。分析了外延中位错产生的原因，并提出了相应的解决办法。
Prospects of 4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo-Sensitive High-Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime
4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device a Photo-Sensitive High-Power Source 0.7 Terahertz Frequency Regime
2010/12/6
The dynamic performance of wide-bandgap 4H-SiC based double drift region (p++ p n n++) IMPATT diode is simulated for the first time at terahertz frequency (0.7 Terahertz) region. The simulation experi...
4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究
2007/12/18
摘要 在推导一个等效沟道厚度模型的基础上，对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导，计算结果表明，在N+D/N-A≤43的情况下，等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关，亚阈区峰值电势随栅压线性变化，推出了一个简化的亚阈电流表达式，并在计算中计入了界面态的影响。该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取。