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搜索结果: 1-15 共查到工学 NEC相关记录19条 . 查询时间(0.062 秒)
The Hong Kong Highways Department (HyD) has marked 10 years of growing NEC use in the territory by letting the government’s largest NEC target contract to date.
日本NEC(日本电气株式会社)的绿色革新研究所的负责人Shuichi Tahara所长和Kazuhiko Kurata执行专家应我所储涛研究员的邀请于2011年8月15日来所学术交流。NEC Corporation(日本电气株式会社),是世界500强公司之一,拥有近300家子公司,职员近12万人,产业主要集中于通讯,计算机和半导体。NEC公司拥有雄厚的技术实力,曾研制出世界第一根炭纳米管,世界最快...
In this paper, we describe our system for surveillance event detection task in TRECVid 2011. We focus on pair-wise events (e.g., PeopleMeet, PeopleSplitUp, Embrace) that need to explore the relationsh...
华虹NEC展示五大特色工艺平台     NEC展示  工艺  平台       2011/10/31
华虹NEC在IC China 2010展示了嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压、射频和功率器件等五大特色工艺平台的最新技术和解决方案。
华虹NEC推出高效nvSOC产品原型平台     SOC  ASIC  产品  平台       2011/11/3
领先的纯晶圆代工厂上海华虹NEC电子有限公司日前宣布成功推出nvSOC产品原型平台,这一平台的推出可以帮助客户高效创建SOC和ASIC原型,大大缩短客户SOC产品开发周期和减少设计风险。
NEC与瑞萨合并后会提出未来的工艺发展问题。NEC是属于IBM体系来发展32/28nm节点。而瑞萨是与松下的技术合作体系来发展32/28nm。未来22nm怎么办?新公司称作瑞萨电子,于2010年4月正式合并成立,所以有关22nm将由新公司来决定。
北京时间2009年9月16日下午消息,据国外媒体报道,NEC电子与瑞萨科技(Renesas Technology)近日宣布,双方将于明年4月合并,组建全球第三大芯片制造商。合并之前,NEC与瑞萨科技的母公司将为双方注资2000亿日元,也就是22亿美元的资金。如果基于2008财年财报,NEC电子与瑞萨合并后,将以总和为12500亿日元的收入排在美国英特尔公司和韩国三星电子公司之后,成为世界上第三大半...
世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)日前宣布成功开发了0.162微米CMOS 图像传感器 (CIS162) 工艺技术,已进入量产阶段。
节能环保的锂电池应用日趋广泛。用于锂电池保护板的功率器件更新也突飞猛进。针对锂电池,NEC电子使用最新工艺和封装技术专门研发了一系列的产品应用于锂电池保护板电路。其中的芯片级封装(CSP)产品更是世界上已经批量应用的最小封装产品。
日本电气(NEC)公司日前宣布,已经放弃参与日本政府主持的超级计算机项目生产阶段的建设。 据国外媒体报道,该日本新一代超级计算机项目由日本教育部、文化部、体育部、科技部和技术部共同支持,NEC表示,鉴于当前经济气候,公司将不会参与有关该项目生产阶段的有关合作。
华虹NEC并购宏力半导体,已风传多时。早在2003年,当全球半导体产业遭遇低潮时,双方便传出交易传闻。当时,由于产业遭遇低潮,双方均无力单独上马12英寸生产项目,双方希望联手尽快赶上产业景气循环的节奏,进入高端产品代工竞争,同时适应重要竞争对手中芯国际的冲击。
NEC电子开发出了40nm工艺DRAM混载流程。将DRAM的单元面积缩小到了0.06μm2,与55nm工艺产品相比约为后者的1/2。这样即使是混载256Mbit的DRAM,仍可减小晶片的面积。虽然在55nm工艺条件下也可进行256Mbit的混载,但存在着晶片面积大,用途受限等问题。
NEC Electronics近日宣布计划在其全资子公司NEC Yamagata生产40nm工艺的系统LSI(Large Scale Integrated circuit 大规模集成电路)。2007财年(截至2008年3月31日)公司投入100亿日元,为目前的300mm生产线配置了可生产55nm及40nm产品的浸入式光刻设备。
新华网2007年4月27日报道 近日NEC以植物为原材料,在世界上率先开发出具有超过不锈钢的热传导能力的生物塑料。为解决电子产品的环境问题和散热问题两方面都做出了贡献。
eNet硅谷动力2006年6月28日报道 NEC电子和NEC日前开发出了55nm CMOS工艺技术。在MOS FET栅绝缘膜中导入了high-k(高介电常数)材料,实现高载流子迁移率,从而同时实现了便携终端等领域所要求的低耗电和高速运行。双方首次采用了液浸ArF曝光技术。

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