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VO2薄膜相变及其温度滞后     无机胶体法  VO2  薄膜  M-S相变       2009/11/13
以攀钢产V2O5为原料,采用无机胶体法制备电阻突变VO2薄膜,研究了VO2薄膜的电阻突变温度、突变数量级及其突变温度滞后. 结果表明,VO2薄膜相变温度为35℃,制备方法和衬底材质对VO2薄膜的电阻突变数量级有较大影响. 以普通玻璃和石英玻璃作衬底、用H2还原法,可使VO2薄膜的电阻突变达到2~3个数量级,用N2热分解法仅能达到1.5~2个数量级;普通玻璃衬底上VO2薄膜的电阻突变数量级小于石英玻...
A new type of photo-active nano-composite material appropriate for Ultra-fast Nonlinear Optical (3) () applications has been synthesized and optically characterized. Compared to standard noble me...
用热分解法使Ir包覆到碳毡表面, 经过50次循环充放电后Ir 的附着良好.稳态极化和循环伏安实验结果表明, Ir修饰后的碳毡电极上V(Ⅳ)/V(Ⅴ)的电荷转移极化电阻降低,Ir催化剂降低了V--O键打开和形成的活化能, 从而降低了电池极化.以Ir修饰碳毡为电池正极、酸和热处理的碳毡为负极组成的全钒氧化还原液流电池,在20 mAcm-2充放电时的电压效率达7.5%. 与用未经修饰的碳毡组成的电池相比...

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