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在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中,对漏电场不能忽略的平行平板式静电微执行器,通常只能采用有限元法数值求解。但是,有限元法繁琐、费时、不直观。平行平板电容器漏电容解析模型通常有两种:一种简单的;一种详细的。基于这两种漏电容解析模型,本文分别导出了它们对应的Pull-in失稳方程,并将求解结果与ANSYS耦合场分析结果做了对比。结果表明,基于详细漏电容...