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二维磁性半导体Fe-SnS2同质结中大的不饱和磁电阻（图）
二维磁性半导 Fe-SnS2 磁电阻 凝聚态物理
2022/10/4
中国科学院半导体研究所魏钟鸣团队和北京大学廖志敏团队合作利用Fe原子掺杂的二维半导体材料SnS2 （Fe-SnS2）构建的同质结，研究了在该同质结器件中存在大的不饱和磁电阻效应。Fe-SnS2是一种掺杂磁性元素的二维磁性半导体，具有非常优异的稳定性，在空气中仍能稳定保持。通过低温输运测量表明，该同质结器件表现出完全不同于原始纯SnS2材料的抗磁特性。在平行磁场（磁场平行于样品平面）下磁电阻值高达1...
Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化
无机非金属材料 半导体材料 原子扩散
2009/3/12
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间...
Fe对掺钕磷酸盐激光玻璃激光性能的影响
掺钕磷酸盐激光玻璃 过渡金属杂质 光吸收损耗 无辐射跃迁能量转移
2008/4/12
在理论分析的基础上，具体讨论了Fe质量分数小于10-4对1 053 nm处光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁几率的影响规律，发现Fe在1 053 nm处的光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁能量转移都与Fe质量分数成平方关系增长， Fe对1 053 nm光吸收的影响较大而Fe与Nd3+之间的能量转移不足50 Hz。这对生产过程中Fe含量的控制有重要指导意义。
期刊信息
篇名
Density functional calculations on electronic and magnetic properties of Fe-Pt systems
语种
英文
撰写或编译
作者
Yousong Gu,Jian He,Xiaoyuan Zhan,Zhen Ji,Yue Zhang,C. Zhou
第一作者单位
刊物名称
Materials Science F...
Electron Diffraction Study on Fe- - Zn Γ intermetallic Phase of a Galvannealed IF Steel Sheet
2007/7/28
期刊信息
篇名
Electron Diffraction Study on Fe- - Zn Γ intermetallic Phase of a Galvannealed IF Steel Sheet
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
余金山,刘俊亮,张津徐,吴建生
第一作者单位
刊物名称
Materials Transactions
页面
2005，46：1079-1082
出版日期
200...
Electronic and Magnetic Properties of Fe2N and FeN: Trends of the Magnetism of the Fe-N System
Electronic and Magnetic Properties Fe2N FeN the Fe-N System
2010/12/16
The electronic and magnetic properties of the nitrides Fe2N and hypothetical FeN were investigated by use of the ASW method. For both nitrides, the calculations were done in the orthorhombic structure...