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深亚微米电路NMOS器件HCI退化建模与仿真
深亚微米NMOSFET 热载流子注入退化
2009/1/22
提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法．该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中，避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题．并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模，提高了模型描述器件退化的准确度．用基于0.25μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证，测试数据与仿真结果吻合得很好．