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等电子谱线法测量Mg/Al等离子体电子温度空间分布
电子温度空间分布 Mg/Al等离子体 X射线谱
2009/2/19
在“星光Ⅱ”激光装置上对Mg/Al混合材料埋点靶进行三倍频激光打靶实验，用空间分辨晶体谱仪测量靶材料发射的X光光谱，获取了示踪离子谱线实验数据。采用多组态Dirac-Fock方法计算所需原子参数，并在局域热动平衡条件下建立了双示踪离子谱线强度比随电子温度的变化关系。在此基础上由双示踪元素等电子谱线法确定了Mg/Al混合材料埋点靶激光等离子体电子温度空间分布。
用MOCVD技术生长GaN: Mg外延膜，在550 ~ 950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试.Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8e17cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下. 室温PL谱有两个缺陷相关发光峰，位于2.8eV的蓝光峰（BL）以及3.27eV附近的紫外峰（UVL) .蓝光峰对紫外峰的相对强度（BL/UVL）在550℃退火后...
Enhanced Electrical Properties of p-type GaN by Mg Delta Doping
Mg-delta-doping p-type GaN hole mobility hole concentration
2010/7/16
The Mg-delta-doped GaN structure was grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD). The Hall-effect measurements revealed that the electrical properties were enhanced. A twof...