搜索结果: 1-14 共查到“光电子学与激光技术 CCD”相关记录14条 . 查询时间(0.015 秒)
中子照相CCD成像系统反射镜引入本底分析
中子照相 反射镜 辐射本底
2010/2/21
在基于CCD相机的中子照相系统中，反射镜距离闪烁屏太近就会将部分荧光反射回闪烁屏，将闪烁屏照亮，入射中子束的少部分还会被反向散射回闪烁屏，形成图像本底叠加在图像上，对定量分析和CT重建结果产生影响。为此建立了反射镜所引入反射分量的计算方法，可根据闪烁屏受照分布和反射镜参数计算反射分量的分布，并对中子反向散射进行了蒙特卡罗模拟，计算结果与实验测量的本底分布规律相符。
强光致CCD过饱和效应机理分析
图像传感器 过饱和效应 复位电平
2010/2/21
分析了正常工作条件下CCD信号检测电路工作的全过程；指出了在正常工作状态下CCD对检测电路的注入是以低占空比的周期性窄脉冲方式进行的，配合有效的复位机制，使每个像素的复位电平保持为常值。根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传输沟道内的电势分布特点，提出了CCD过饱和状态的物理实质，即激光在CCD的受辐照点处提供了一个光生电流源，光生电荷将CCD的传输势阱全部填满之后使得CCD由一个电荷器件转...
CCD采集系统线性斜率及非线性研究
ICF CCD 线性斜率 非线性度
2009/8/25
为给物理实验数据提供切实可行的修正参数,利用测量的CCD像素强度值与像素平均值的最大偏离度表征法，全面系统地对ICF研究领域中的科学级光学CCD在ADC处于不同参数设置下的线性斜率和非线性规律进行了探索研究。实验结果表明:该台CCD在小尺度计数范围下（低于饱和计数15%）线性度优于1%，同时通过线性斜率的数据分析发现,CCD在ADC处于slow和fast两种类型下，线性斜率近乎相同,分别为0.27...
可见光CCD的光致过饱和现象
可见光CCD 过饱和 像素周期 复位电平
2009/8/21
报道了可见光CCD的过饱和状态——在强光辐照下，CCD输出图像中的白色饱和区域内出现黑色盲区。介绍了相机成像系统的信号处理过程和CCD的4种基本输出波形，给出了这4种波形的信号在经过相关双采样电路处理之后的结果和对应的CCD的4种基本输出图像效果，即无光照的黑区、弱光照的灰区、光照饱和的白区和强光致过饱和的黑色盲区（即过饱和状态）。过饱和状态CCD的输出信号波形中，复位电平发生改变而与处于饱和的数...
采用800 nm，100 fs的超短脉冲激光器对硅面阵CCD进行辐照实验，观测到饱和、串扰以及永久性损伤等多种可能造成成像器件失效的现象，特别是在激光能量较高时，发现CCD在成像时出现了黑白屏的现象。在飞秒激光器以1，10和1 000 Hz工作的条件下，分别测量了硅面阵CCD的饱和阈值、串扰阈值和破坏阈值。对破坏后的CCD器件进行了显微分析。在1 kHz工作的条件下进行了视场外干扰实验，观察到串扰...
光子计数型CCD测量激光等离子体X射线
A new technique of single-photon counting X-ray CCD was presented. The detection efficiency in the range from 2 keV to 30 KeV was characterized by several X-ray sources. In the interaction of laser plasmas the layered targets were chosen consisting of 0.1 mm Cu layer coated with 50 mm Mo layer and 0.5 mm Al layer coated with 50 mm Cu layer and the Ka spectra with the Mo layer and the Cu layer were obtained and the results show that the energy resolution of CCD is more than 37.
2008/4/30
介绍了光子计数型电荷耦合器件(CCD)的工作原理，标定了2.0~30 keV的探测效率。在超强超短激光等离子体相互作用中，实验用靶为复合靶，分别用Cu＋Mo和Al+Cu制作。第1层靶是Cu或Al物质作为电子示踪材料，第2层靶是Mo或Cu物质作为荧光材料，利用光子计数型CCD测量了Mo和Cu的X射线能谱, 同时得到CCD的能量分辨率大于37。该CCD可用于激光等离子体低通量高能X射线测量实验。
用波长为1 064 nm、脉宽为5 ms的激光辐照SONY ICX055BL可见光硅CCD器件，实验中由图像采集卡采集得到相机的视频输出，同时用示波器检测ICX055BL的输出信号和垂直输出时钟信号。结果表明，在脉冲激光的辐照下，器件比较容易被破坏。研究中将器件作为一个功能整体，破坏机理分析不只局限于CCD的探测、电荷存储、电荷转移的MOS结构部分。结合实验结果和CCD器件的电路特点，初步判断该器...
激光辐射CCD的破坏机理分析
破坏机理 CCD 激光辐射
2008/4/30
研究了国内外关于激光辐照CCD及其相似材料结构导致的各种效应, 特别是软硬破坏效应, 给出了各种破坏的阈值及实验方式; 对各种破坏机理及理论模型进行了对比分析。
利用CCD准确测量激光远场发散角
远场发散角 CCD测量
2008/4/30
利用CCD面阵接收器,通过标定的方法,将其准确安置在长焦距透镜后焦面上,并找出CCD 象元数与原场发散角的对应关系,从而迅速确定远场发散角。同时用短焦距透镜对 光束限制光阑成像,测得近场光斑光强分布。以激光束振幅函数的傅里叶变换作为理想衍射 极限,将远场发散角与之比较,可以得到用几倍衍射极限的方法表示的实际光束质量。
介绍了单光子计数型CCD的工作原理。实验选择参数准确的X射线放射源前向辐照CCD的像元面，计数由此产生；通过积分获得X射线的强度分布，在CCD处于单光子计数状态下，扣除本底信号，得到该型CCD产生一个计数所需的光子能量，约6.453 eV。标定了该型CCD的探测效率。结果表明：在单光子计数型CCD的有效能区内，对于不同能量的入射光子，其探测效率不同，在5.3 keV处获得最高探测效率66％；...
CCD在fs激光辐照下的损伤研究
fs激光 电荷耦合器件(CCD) 失效阈值
2008/4/12
用脉宽为60 fs、波长为800 nm的 fs激光辐照电荷耦合器件，研究了电荷耦合器件在fs激光作用下的失效问题。实验得到fs激光作用下电荷耦合器件的失效阈值为4.22×10－3 J/cm2。这比ns激光作用下电荷耦合器件的损伤阈值低2～3个量级。对该器件进行显微观测，在光敏元上没有发现损伤，但在器件的栅极上发现了明显的激光引起的损伤痕迹。
1.319μm连续YAG激光束对可见光面阵CCD系统的干扰研究
钇铝石榴石激光 面阵电荷耦合器件系统 饱和阈值
2008/4/12
利用1.319μm连续钇铝石榴石激光对可见光面阵CCD系统进行干扰实验，分析了该CCD系统发生干扰饱和的原因，计算了1.319μm激光辐照面阵可见光CCD的干扰饱和阈值，利用实验数据在定量上验证了计算结果。当像面上激光功率密度达到102W/cm2量级时，CCD出现饱和串音，达到102W/cm2量级时，出现全屏饱和。
对测量细丝直径在10~40 μm的电荷耦合器件激光衍射测径系统提出了两种新的标定方法，并对不同标定方法下的系统进行了测试对比。结果表明，选择恰当的标定方法可以使系统测量精度达到0.15 μm。