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中国科学院半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题，受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中，通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化，将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题，从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
中国科学院半导体研究所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线
低温LT-GaAs材料 成功应用 制备太赫兹天线
2012/12/21
太赫兹(THz)波通常是指频率在0.1～10THz（波长介于微波与红外波之间的0.03～3毫米范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分辨率。太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以比X射线技术更具优势。此外，许多生物大分子的振动和转动共振频率也处在太赫兹波段。因此，开发太赫兹波技术将对宽带通信、雷达...
中科院半导体研究所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
闪锌矿结构 GaAs纳米线 自催化方法
2012/10/10
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时，由于表面积相对增加，且纤锌矿结构的表面能较低，使得GaAs纳米线上容易...
中国科学院半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展
激光器 重要进展
2008/12/17
中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1.31微米波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.33微米的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报道的最好结果而受到国际关注。英国物理学会(IOP，UK)的Compound Semiconductor杂志在其Te c h n o l ...
近日，由我所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As5～10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In(Ga)...