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北京大学高鹏团队突破电镜技术 助力国产EUV光刻机（图）
四维电子能量损失谱技术 EUV光刻机 芯片 电镜技术
2022/4/11
北京大学量子材料科学中心高鹏研究组基于扫描透射电子显微镜发展了四维电子能量损失谱技术，突破了传统谱学手段难以在纳米尺度表征晶格动力学的局限，首次实现了半导体异质结界面处局域声子模式的测量，近日更是被《半导体学报》列为2021年度中国半导体十大研究进展。这项科技成果的诞生，不仅是我国高端科学仪器领域的一个重要突破，更为实现国产EUV光刻机、掌握芯片核心技术、攻克国产半导体核心技术壁垒增添了动力。四维...
中科院研发新型激光光刻技术：不用EUV 直击5nm（图）
激光光刻技术 半导体光刻 激光直写
2021/9/2
半导体光刻最重要的指标是光刻分辨率，它跟波长及数值孔径NA有关，波长越短、NA越大，光刻精度就越高，EUV光刻机就是从之前193nm波长变成了13.5nm波长的EUV极紫外光，而NA指标要看物镜系统，ASML在这方面靠的是德国蔡司的NA=0.33的物镜，下一代才回到NA=0.55的水平。
中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合室实验室张军勇课题组首次将古希腊梯子映射到纳米结构中，以解析的数学形式完整描述了三维阵列焦点成像的方法，通过数论解决了结构设计的初始化问题。
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光，EUV将用于22nm以下工艺
台积电 工艺 曝光技术
2011/11/4
据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波...
台积电将EUV列入光刻线路图
台积电 光刻 线路图
2011/11/3
日前，台积电（TSMC)在其2008年技术论坛会议上，简要描述了该公司光刻线路图（Lithography Roadmap)，作为计划的一部分，TSMC对极紫外光刻技术进行了新的评估，并将其纳入光刻线路图。