搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术 圆”相关记录23条 . 查询时间(0.156 秒)
中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展。2024年8月7日，相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors）为题，发表于国际学术期刊...
圆偏振发光(CPL)是指手性物质受激发后发射出具有差异的左旋和右旋圆偏振光的现象。2024年来，鉴于其在新型光学显示器件、手性纳米光电器件、手性识别和催化、对比成像及信息存储和加密等领域的广泛应用前景，CPL材料受到了研究人员的广泛关注。目前大多数手性发光分子材料的CPL性能还达不到实际应用的需求，制备兼具高效发光和高不对称发光因子（glum）的CPL材料是该领域一个难点。
武汉新芯集成电路制造有限公司“晶圆键合方法及晶圆键合设备”专利获授权（图）
武汉新芯 晶圆键合 专利
2024/10/23
集微网消息，天眼查信息显示，武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“晶圆键合方法及晶圆键合设备”的专利，授权公告号CN113299544B ，授权公告日为2024年02月27日，申请日为2021年5月25日。
上海光机所在圆偏振激光控制单层石墨烯产生反向光电流方面取得进展（图）
激光控制 单层石墨烯 光电流
2023/1/5
2022年12月14日，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在圆偏振激光控制单层石墨烯产生反向光电流方面取得进展，相关研究成果以Bidirectional residual current in monolayer graphene under few-cycle laser irradiation为题发表于Optics Express。
全球第三大晶圆代工厂设立半导体设备学院
晶圆代工厂 半导体设备学院 半导体
2022/10/17
近日，为应对半导体设备人力供需失衡挑战，晶圆代工厂商联电在中国台湾南科晶圆12A厂P5厂区设立的半导体设备学院正式开幕。机台设备是半导体生产的基石，联电共同总经理简山杰表示，随着公司持续扩产、新机台进驻，对半导体设备工程师的需求日益增加。联电表示，预计1年内完成600位设备工程师培训，并自2023年推广至联电境内外其他厂区。
2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》及时对成果进行了跟踪报道，受到国内外业界的关注。
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在高迁移率的石墨烯单晶晶圆研究方面取得进展，相关工作以“Wafer-scale growth of single-crystal graphene on vicinal Ge(001) substrate”为题发表在Nano Today期刊上(Nano Today 2020, 34, 100908)。
2020年6月22日，中科院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所旗下长春光华微电子设备工程中心有限公司（光华微电子）宣布研制成功国内首台商用12英寸全自动晶圆探针台。
光华微电子公司是中国科学院长春光学精密机械与物理研究所机电工程研究部于2002年转制而成立的一家高科技股份有限公司，近20年来专注于被动电子元件和微电子设备的研发、生产，其主要产品分布在晶片电阻生产设备、半导体生产设备、激光精细...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度（750℃）条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。研究论文于4月4日在Small上在线发表(X.F. Zhang, et al, Epitaxial Growth of 6 in. Single-Crystalline Graphe...
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。
2019年2月4日，清华大学微纳电子学系任天令教授团队在《美国化学学会纳米》 （ACS Nano）在线发表了题为《超低亚阈值摆幅，超高开关比双模式二硫化钼导电细丝晶体管》（“Two-Mode MoS2 Filament Transistor with Extremely Low Subthreshold Swing and Record High On/Off Ratio”）的研究论文，首次在埋栅...
近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。
半导体所在MEMS器件低成本圆片级低温键合方法的研究方面取得重要进展（图）
封装 研究方面
2011/11/7
封装是微纳机电系统（MEMS/NEMS）产业化前最后的但决定器件成败的最关键的一步加工技术，最近几年已经引起了越来越多的关注。当前国际上MEMS/NEMS较为成熟的封装工艺为键合工艺，几个发展比较成熟的键合都需要在高温条件下进行。高温会对MEMS传感器产生不良的影响，造成器件不稳定甚至失效。因此，急需开发适用于MEMS传感器的低温键合工艺。近几年，随着生化传感器和射频器件的快速发展，对低温键合封装...
张忠谋再报佳音晶圆代工成长36%
晶圆 成长
2011/10/31
晶圆龙头台积电董事长张忠谋27日表示，今年全年半导体产值年成长22%，晶圆代工更高达36%；他以“只要看此数字，其它仅是细节”，强调晶圆代工景气之盛。