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碳化硅走向“8英寸”（图）
碳化硅 8英寸 功率器件
2024/10/18
作为电力电子变换装置的“心脏”，碳化硅（SiC）功率器件有望引领未来能源革命。当前，正值碳化硅从6英寸向8英寸转型升级的过渡期。2024年以来，全球各大厂商纷纷传来关于8英寸碳化硅的最新进展。业内人士指出，碳化硅从6英寸转向8英寸是必然趋势，而8英寸量产将助推碳化硅产品走向规模化应用。
Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升
Wolfspeed 碳化硅 功率模块 清洁能源
2024/10/14
2024年9月11日，全球碳化硅（SiC）技术引领者Wolfspeed,Inc.（NYSE:WOLF）于近日宣布推出最新2300 V无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计，可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升，将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款2300 V无基板碳化硅模块针对1500 V直流母线应用开发，并采用了Wolfspeed前沿领先的200 mm碳化...
碳化硅是一种高性能的无机半导体材料，具有化学性质稳定、导电导热性能良好、耐高温和酸碱腐蚀的特点，已经广泛用于特种陶瓷、研磨材料以及微电子等领域。由于工业碳化硅比表面积很低（不到1 m2/g），难以有效分散催化活性组分，在工业催化领域的应用还是空白。
全碳电子产品可灵活集成到各种物体表面
全碳电子产品 灵活集成 各种物体表面
2014/5/28
韩国蔚山国立科学技术研究所和韩国电工研究所的研究人员采取一种新方法合成出完整的全碳电子设备，包括晶体管、电极、连接线及传感器，大大简化了它们的形成过程。这些价廉的电子设备可被附着在各种物体表面上，包括植物、昆虫、纸、布及人的皮肤。该研究成果刊登在《纳米快报》上。
来自瑞典歌德堡的查默斯理工大学的研究人员发现，以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的3D芯片堆栈，效果会比铜来得更好。TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统，而非将它们平行排列在电路板上，以提高芯片之间通讯的速度；但遗憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的铜，却会导致热膨胀的问题，因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。
全球纳米碳产值2015年将达到13亿美元
纳米 碳 产值
2011/11/9
纳米碳产品包括单壁碳纳米管（SWNT）和多壁碳纳米管（MWNT）、富勒烯、石墨烯、碳纳米纤维和纳米金刚石等。碳纳米管具有独特的、潜在可利用的电气和机械性能，并为各种电子设备的提供各种潜在的用途。碳纳米管还具有极高的导电性，非常小的直径（远小于100 nm），大长径比（＞1000），以及尖端表面积的理论极限（尖端表面积越小，电场越集中，场增强因子越大）。这些特性使得碳纳米管成为电子场发射器、白色光源...
斯坦福研制出具备复杂电路结构的碳纳米管IC
电路结构 碳 纳米管
2011/11/3
最近斯坦福大学研制出了首个三维碳纳米管结构电路，这项成果可能标志着科学家在研制纳米管计算机方面又取得了一项重要的进展，纳米管计算机相比现有的硅半导体计算机在运算速度和省电性能方面拥有较大的优势。尽管纳米管计算机还需要10年左右的时间才有可能投入实用，但斯坦福大学的这项研究成果证明人类完全 可以使用碳纳米管技术制造出叠层结构的集成电路。叠层结构的集成电路单位体积内的运算效能较高，此外这种电路在散热性...
打开碳纳米管制备石墨烯
碳纳米管 石墨烯
2011/11/10
石墨烯是一个原子厚的碳薄片，具有独特的电特性，有望在电子领域获得众多应用。研究人员面临的最大挑战之一是如何大批量生产石墨烯。最近，两个研究小组证明通过打开碳纳米管可以生产各种宽度的石墨烯带。
碳纳米管有望实现存储器微型化（图）
碳纳米管 存储器 微型化
2009/4/9
自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器元件，这些原件耗电量极低，但能以高速记录信息。
英国科学家制造出新型碳纳米管超微电极
新型碳纳米管超微电极 灵敏传感器
2008/5/8
英国沃里克大学的研究人员使用化学蒸气沉积法和平板印刷术制造出圆盘状单壁碳纳米超微电极，这种超微电极可用于制造超灵敏传感器。
日本制成长2.5厘米高纯度碳纳米管
日本 碳纳米管
2004/11/22
新华网东京2004年11月20日电 日本产业技术综合研究所的研究人员最近采用新方法制成了长2.5厘米的高纯度单层碳纳米管，如此长度的碳纳米管能被肉眼看到，取得这样的成果可谓一大突破。