搜索结果: 46-60 共查到“知识库 ZnO”相关记录392条 . 查询时间(1.156 秒)
Mn掺杂对ZnO：Mn薄膜结构特性的影响
ZnO Mn 拉曼 稀磁半导体
2013/9/27
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO:Mn薄膜的结构特性。 Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增...
水热法制备钼掺杂ZnO纳米结构及其光学特性研究
钼掺杂 水热法 光致发光
2013/9/27
用水热法以Zn(NO3)2·6H2O和NaOH为原料,分别以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)、聚乙烯吡咯烷酮-K30(PVP-K30)、聚乙二醇400(PEG400)、乙二胺四乙酸(EDTA)为添加剂,制备钼掺杂的纳米ZnO。扫描电镜(SEM)结果表明,通过改变添加剂的种类可以合成不同形貌钼掺杂的ZnO;X射线衍射(XRD)结果表明,掺杂的ZnO纳米粉体为六方纤锌矿结构,...
非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高
ZnO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
2013/9/28
在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O 的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg...
采用共沉淀法制备了CuO/ZnO/CeO2/ZrO2甲醇水蒸气重整催化剂,探讨了陈化时间对催化剂性能的影响.结果发现,延长陈化时间能增加催化剂的表面铜原子数和改善催化剂的还原性能,但与此同时也降低了催化剂的储放氧性能.延长陈化时间,CuO/ZnO/CeO2/ZrO2催化剂的氢产率随表面铜原子数的增加而成线性增长.另一方面,重整尾气中的CO含量也随着储放氧能力的下降而增加.综合考虑产氢率和重整尾气中...
ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展
氧化锌 薄膜晶体管 有源层 制备方法
2014/3/20
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素。目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等)。为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣...
电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压
ZnO 量子阱 电子束泵浦 激子隧穿
2013/9/28
对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。
工作气压对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
ZnO∶Mn 拉曼 稀磁半导体
2013/9/28
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。 Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。 但是,随着气压的降低,对应于E2(High)振动模式的Raman散射峰以及与Mn掺杂相关的特征峰左移,说明在低工作气压时,ZnO:Mn薄...
木素磺酸钙模板法液相合成花簇状ZnO及其光催化性能
纳米ZnO 木素磺酸钙 光催化 甲基橙
2013/11/21
采用液相沉淀法合成了花簇状纳米ZnO, 利用FT－IR, UV－DRS, XRD, SEM/EDS,BET等技术对所制备的ZnO进行表征, 研究了木素磺酸钙(LS)对纳米ZnO结构和形貌的影响.以甲基橙脱色降解为模型反应, 考察了掺杂木素磺酸钙及不同煅烧温度对ZnO的物理结构和光催化脱色性能的影响.结果表明, 掺杂木素磺酸钙能明显改变ZnO形貌, 改善表面状态, 使其比表面积增加, 表面产生更多的...
ZnO 薄膜是一种新型的宽带隙透明氧化物薄膜材料，具有优良的物理和化学特性。在微光像增强器中具有多方面的潜在应用。通过对ZnO 材料晶格参数等的研究， 发现可以作为制备高质量GaN 紫外光电阴极的缓冲层。通过对ZnO 能带的研究，发现ZnO 本身还可以独立的作为负电子亲和势光电阴极材料，一旦p 型ZnO 制备获得成功，将更有利于形成负电子亲和势光电阴极。此外，采用蒙特卡罗模拟的方法发现ZnO 薄膜...
以骨架NiMo以及与氧化物物理混合, 考察了其在连续固定床反应器中无外加氢气条件下的丙三醇一锅法重整-氢解制1,2-丙二醇(1,2-PDO)的性能.研究发现, 骨架NiMo自身催化活性高, 但对1,2-PDO的选择性一般.当将其与MgO, SiO2, Al2O3, HZSM-5, TiO2, ZrO2或CeO2机械混合时, 丙三醇转化率和1,2-PDO选择性均发生下降.但当与ZnO物理混合时, 催...
顶端ZnO纳米结构对GaN基LED光提取效率的影响
发光二极管 ZnO纳米结构 光提取效率 时域有限差分
2013/9/22
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率,本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型,利用时域有限差分法对两种模型进行仿真并对结果进行了比较.仿真结果表明,ZnO纳米结构的各项几何结构参量(包括排列周期P、高度L、宽度W以及斜率k等),对LED顶端光提取效率影响显著.仿真分别得到了两种结构的最佳模型,通过比较,LED顶面纳米柱和纳米锥结构对光提取效率的提高效果相近,其最佳提取效率...
ZnO/GaN核壳异质结电子结构和光学特性第一性原理研究
异质结 电子结构 光学性质 第一性原理
2013/3/22
采用密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了ZnO/GaN核壳异质结的电子结构和光学特性.计算结果表明:[10 10]和[11 20]晶面的异质结在带隙边缘价带顶和导带底的电子态密度各自主要由氮原子和锌原子贡献.以[10 10]晶面为侧面的异质结结构的介电函数虚部(ε2)的曲线具有相似的特征,都是价带的氮原子到导带锌原子的跃迁,但峰位依赖于核层数和壳层数的不同而有所偏移.相对地,以[11 20]晶...
合成了5%Ni/Mn-ZnO吸附剂体系, 并在固定床上考察了Mn的掺杂对该吸附剂的吸附脱硫性能的影响. 8%MnO掺杂的5%Ni/MnO-ZnO吸附剂抗烧结性能显著提高, 并且吸附剂的脱硫活性和再生活性均有较大提高, 三次再生后的脱硫率仍比一次再生的无Mn掺杂的5%Ni/ZnO吸附剂的脱硫率高出约4%. XRD表征显示掺杂后的吸附剂有ZnMnO3生成.
采用共沉淀法制备了 CuO/ZnO/CeO2/ZrO2 甲醇水蒸气重整制氢催化剂, 探讨了沉淀温度对催化剂活性和 CO 选择性的影响, 并采用 N2 吸附-脱附、X 射线衍射、程序升温还原和 N2O 滴定等手段对催化剂进行了表征. 结果表明, 沉淀温度对 CuO/ZnO/CeO2/ZrO2 催化剂结构和性质的影响很大. 当沉淀温度为 60 °C 时, 所得催化剂的性能最佳. 与工业催化剂相比, 以...