搜索结果: 1-15 共查到“知识库 工学 ZnS”相关记录26条 . 查询时间(0.062 秒)
通过光阳极协同包覆的策略抑制Zn-Cu-In-Se（ZCISe）量子点敏化太阳能电池（QDSC）中光阳极/电解液界面上的电荷复合过程，提高电荷收集效率和电池光伏性能。采用溶液法在ZCISe量子点敏化的光阳极表面依次沉积包覆ZnS和SiO2双钝化层，实现较单一ZnS包覆层更有效的界面电荷复合抑制作用，从而提高QDSC的性能。在包覆ZnS/SiO2双钝化层后，所组装的ZCISeQDSC光电转换效率由传...
针对常规方法测定痕量铜有操作繁琐、灵敏度低等问题,建立了采用ZnS/AuNPs/氧化铟锡(ITO)玻璃电极电化学发光法测定痕量铜的新方法。在ITO玻璃表面,用电化学沉积法沉积AuNPs和ZnS,制备了ZnS/AuNPs/ITO电极。考察了该修饰电极的光、电化学行为,并对制备条件进行了优化。结果表明,Cu2+能够抑制以AuNPs为载体、ZnS为发光物质的修饰电极电化学发光,相对电化学发光值与Cu2+...
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化，并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件，并进行了SEM、C-V和I-V表征分析，研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明，钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞，CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善；采用改进的钝化工艺制备的MIS器件...
组分对Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点发光性能的影响
量子点 Cu-Zn-In-S/ZnS 热注入法 荧光性质 组分
2016/11/11
利用热注射法通过调控Cu/Zn比例制备了不同组分的Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点,通过紫外-可见吸收光谱以及稳态和时间分辨光谱分析Cu/Zn比例对量子点发光性能的影响.结果表明,不同组分Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点呈现闪锌矿结构且晶粒尺寸接近;随着Cu/Zn比例的减小,Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点的带隙变宽,导致吸收光谱发生蓝移;当Cu/Zn比例从6/1减小到1/6时,...
理论计算了带有极化子效应的ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率.在有效质量近似下,采用无限深势阱模型,导出了带有极化子效应的柱型量子点的三阶非线性光学极化率的解析表达式,解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率的影响.结果表明,当量子点尺寸一定时,带有极化子效应的χDFWM...
不同激光脉冲作用下ZnS晶体非线性光学特性
ZnS晶体 非线性吸收 非线性折射
2016/8/10
用Z-scan技术在532 nm的皮秒激光脉冲和800 nm飞秒激光脉冲作用下分别研究了ZnS晶体的非线性吸收及非线性折射特性。实验结果表明,ZnS晶体在532 nm的皮秒激光脉冲作用下非线性吸收为双光子吸收,其非线性吸收系数为5.3×10-11 m/W,在800 nm的飞秒激光脉冲作用下非线性吸收为三光子吸收,非线性吸收系数为0.59×10-21 m2/W2;在532 nm皮秒激光脉冲作用下,Z...
基于CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤的色散与损耗控制
光子晶体光纤 CdSe/ZnS量子点 薄膜 双折射 色散 损耗 控制
2016/11/23
基于有限元法,设计了一种六边形排列含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的高双折射光子晶体光纤,分析了具有不同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的色散及损耗特性.结果表明,含CdSe/ZnS量子点薄膜结构的光子晶体光纤在x和y方向均存在基模.当泵浦光波长逐渐增加时,具有相同厚度CdSe/ZnS量子点薄膜光子晶体光纤的双折射值逐渐增大,x和y方向总色散先增大后减小且存在两个零色散点,损耗逐渐增大并...
在建模和理论分析的基础上, 对三脉冲飞秒激光作用下核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1se1sh激子光跃迁引起的受激光子回波效应进行了深入研究.运用有效质量近似方法求解了载流子的静态薛定谔方程,得到能量本征值和对应波函数.基于光学Bloch方程,分析了受激光子回波的参量相关性.结果显示受激光子回波信号可以通过量子点量子阱结构和尺寸的改变进行有效调节.同时,在量子尺寸限制理论的基础上讨论了结构和...
ZnSe / ZnS Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifiers
Linear Absorption Coefficient Linear Emission Coefficient Rate Equations (Res) Noise Figure
2013/1/30
ZnSe quantum dot (QD) semiconductor optical amplifier (SOA) is studied theoretically using net gain for linear Absorption coefficient and linear emission and these results are used to calculate noise ...
制备了一种以紫外（UV）固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系,确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂浓度和光纤长度.结果表明|UV胶在光纤中具有吸收小、收缩率低、与石英光纤包层折射率匹配、性能稳定等特点,是一种比较理想的实验室制备量子点光纤纤芯本底的材料.
低温水热法合成均匀单分散ZnS微球
ZnS 水热法 微球 生长机理
2013/12/12
以醋酸锌和硫代硫酸钠为原料,十六烷基三甲基溴化铵(cetyltrimethyl ammonium bromide, CTAB)为表面活性剂,低温简单水热法合成了ZnS微球。通过XRD、TEM、SEM、FT-IR等表征手段对产品ZnS微粒进行了结构和形貌分析。结果表明:ZnS粒子为微球结构,属于立方闪锌矿结构,粒径在3μm左右,且分散性良好,球形度高;在1116cm-1、618cm-1、495cm-...
快速均匀沉淀法制备纳米微粒ZnS
纳米微粒 ZnS 快速均匀沉淀法
2010/12/29
摘 要：采用快速均匀沉淀法在水相体系中制备纳米微粒ZnS.快速均匀沉淀法是利用酸度、温度对反应物解离的影响,在一定条件下制得含有所需反应物的稳定前体溶液,通过迅速改变溶液的酸度、温度来促使颗粒大量生成,并借助表面活性剂防止颗粒团聚,从而获得均匀分散纳米颗粒,它具有均匀性较好、沉淀快速、冷却迅速的特点.以硫代乙酰胺(CH3CSNH2,简称TAA)和硝酸锌(Zn(NO3)2)为反应前驱体,用一...
水热合成ZnS∶Cu, Al纳米晶体及其全色发射光谱特性
ZnS∶Cu, Al 纳米晶 水热法 白光粉
2011/4/28
报道了水热法(200 ℃)直接合成的ZnS∶Cu,Al纳米晶及其发光特性。ZnS∶Cu,Al纳米晶粒径约15 nm，尺寸分布窄，分散性好，具有纯立方相的类球形结构。借助X射线能谱法(EDX)和原子吸收光谱仪，研究了样品中S, Zn和Cu的含量并详细研究了光致发光(PL)光谱的特性。结果证明存在大量Zn空缺，Cu离子经过水热处理后已掺入到ZnS基体中。PL光谱特性为：样品的激发谱为宽带谱，337 n...
ZnS与NaCl共混煅烧法制备高效绿色ZnO荧光粉
绿色荧光粉 制备 缺陷
2009/11/13
以氯化钠为助熔剂，在较低温度(约700℃)下的空气气氛中煅烧硫化锌合成了ZnO绿色荧光粉. 测定了不同煅烧温度下合成荧光粉的激发光谱和发射光谱，以及硫、氯元素含量. 结果表明，合成荧光粉的主晶相为六方纤锌矿结构的ZnO，并有少量残存的ZnS相存在. 在350 nm波长光激发下，该荧光粉的发射光谱只有505~510 nm绿色峰，无380 nm激子发射. 根据给体-受体机制，该发射是源于光生电子从局域...