搜索结果: 1-15 共查到“知识库 工学 Si”相关记录443条 . 查询时间(0.698 秒)
Rosin-Based Si/P-Containing Flame Retardant Toward Enhanced Fire Safety Polyurethane Foam
bio-resource flame retardant rosin synergistic effect
2023/12/4
Environmentally friendly flame retardant such as polysiloxane has long been sought for varied studies in recent years and can be further improved to overcome the challenges of additional applications....
为改善硅/碳纳米纤维的形貌结构并提升其储能性能,将球磨均匀的Si/TiO2粉末和聚丙烯腈(PAN)通过静电纺丝制得Si/TiO2/PAN纳米纤维膜,然后分别在氩气和氢气氛围中炭化得到Si/TiO2复合碳纳米纤维;优化了Si与TiO2的最佳配比与最适炭化温度,分析了纤维形貌、分子结构、元素分布对复合碳纳米纤维储能性能的影响。结果表明:在Si和TiO2质量比为1∶2以及900 ℃炭化条件下,Si/Ti...
Au20Si80合金类Si结构的模拟研究
分子动力学模拟 Au20Si80合金 最大标准团簇 类Si结构
2022/3/23
采用分子动力学模拟方法研究液态富硅Au20Si80合金的快速凝固过程.在此基础上,使用双体分布函数、配位数、最大标准团簇、能量和三维可视化等方法研究Au-Si合金在凝固过程中的微观结构规律.结果指出,体系中形成种类繁多的非常规非晶结构,以类Si结构为主.类Si结构具有如下特点:中心原子几乎都为Si;以Si原子为中心的类Si-A、类Si-B、类Si-C、类Si-D配位数为5,其外围原子元素组成类型主...
Si/PEDOT∶PSS异质结太阳能电池研究进展
Si基 异构杂化 结构 转化效率
2019/12/10
以有机材料作为空穴传输层的Si/有机杂化太阳能电池由于其器件结构与制备工艺的不断优化,在短期内实现了理论探究与合成应用的快速增长。但有机材料具有的导电性低和复合界面间稳定性差等缺点,严重影响了复合器件的光电转化效率和使用寿命,阻碍了异质结太阳能电池的技术发展与市场应用。在Si/有机杂化太阳能电池领域,聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)是目前为止效果最佳的有机半导体。PED...
以可再生生物质芦苇叶为原料,通过热解碳化、CO2高温脱碳和镁热还原三步热处理制备Si/C复合材料。利用扫描电子显微镜、热重与差热分析、拉曼光谱、X射线衍射等手段对芦苇叶热解碳化产物、CO2高温脱碳产物和最终合成的Si/C复合材料的形貌、组成和结晶度进行表征,同时对Si/C复合材料的电池性能进行综合评估。
过共晶Al-Si合金的变质处理试验
过共晶Al-Si合金 变质处理 显微组织 初生Si Al-P（3.5%）合金
2018/9/27
根据Sr、P对过共晶Al-Si合金的变质机理，用Al-Sr（10%）合金、Al-P（3.5%）合金和C还原磷酸钠（赤P∶Na3PO∶4 石墨C=1∶5.3∶2.5）分别对过共晶Al-Si合金进行变质处理。结果表明，过共晶Al-Si合金用Al-P（3.5%）合金变质效果最佳，显微组织下初生硅数量增多且呈球形均匀弥散分布，Al-P（3.5%）合金加入量在总量的1.1%～1.2%之间，最佳变质时间为20...
利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究
Si/Si-O-C负极材料 镁金属 还原 机理
2016/5/30
以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备了Si-O-C材料，利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备了多孔的Si/Si-O-C负极材料。Si/Si-O-C负极材料的首次放电与充电容量分别为547.2和450.7mAh?g-1，第二次放电与充电容量分别为487.4和422.9mAh?g-1，库伦效率分别为82.3%、86.8%，材料具有较好的循环性能。利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)...
Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述
Early效应 三极管 SPICE 积分电荷控制关系
2016/12/29
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和SiGe电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBI...
采用磁控溅射法在Si衬底上制备了SiO2介质膜,系统地研究了SiO2膜引入对Ag纳米颗粒的表面覆盖率、形貌、形成机理和光学性质的影响.研究发现引入SiO2介质膜后,Ag纳米颗粒的表面覆盖率显著增加,平均粒径明显降低.基于现有的Ag纳米颗粒形成机理,提出了粗糙表面Ag膜断裂模型以解释其形貌发生变化的原因.紫外-可见光分光光度计测试表明,引入SiO2膜并优化其厚度,可使Ag纳米颗粒的偶极消光峰最大红移...
试样用碱性混合熔剂熔融，稀盐酸浸取酸化定容。分取部分试液，通过对测定条件优化及控制分析时各元素的
酸度，分别用硅钼蓝光度法测定Si，铋磷钼蓝光度法测定P；以三乙醇胺掩蔽Fe、Al等干扰元素后，在pH值≥12的氢氧化
钾缓冲体系中，以钙黄绿素混合指示剂指示滴定终点，用EGTA滴定法分别测定Ca及Ca、Ba合量；强碱沉淀分离氟盐置
换 EDTA 滴定法测定 Al，实现了同一母液 Si、P、Ca、...
应用严格耦合波分析方法(RCWA),在本征硅片衬底表面设计并制作了一种圆柱形抗反射微结构元件。通过MATLAB软件模拟仿真确定其最优参数组合,使反射率设计值为3%。应用二元曝光技术和反应离子刻蚀技术制作了单面和双面的圆柱形微结构,根据结果得到射频功率、气体流量及工作气压对微结构侧壁陡直度及形貌具有很大影响。还分析比较了形状(t为实际柱顶面直径与底面直径之比)与反射率的关系。采用热场发射扫描电子显微...
SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真
单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布 量子效率 仿真分析
2016/8/2
通过理论模拟CMOS工艺兼容的SiGe/Si 单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06 μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、SiGe材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06 μm波长下,SiG...
试样用碱性熔剂经高温熔融，以稀盐酸浸取，酸化并还原高价锰定容后，移取部分试液，通过优化控制测定各元素时的酸度及沉淀分离去除干扰元素，分别用钼蓝光度法测定Si和P，EDTA滴定法测定Al。以硝酸及少量氢氟酸溶解试样，在大量磷酸存在的情况下，用高氯酸氧化Mn2+为Mn3+，以N-苯代邻氨基苯甲酸为指示剂，用硫酸亚铁铵标准溶液滴定三价锰，借此测定Mn。结果表明，该方法操作简便、快速，各元素相对标准偏差≤...
应用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料机理研究
Si/Si-O-C负极材料 镁金属 还原 机理
2016/7/13
以二乙烯基苯和聚硅氧烷为原料经先驱体转化法制备Si-O-C材料，利用镁金属在惰性气氛保护下高温还原制备多孔的Si/Si-O-C负极材料。利用X射线衍射、能谱分析、元素分析和场发射扫描电镜分析多孔Si/Si-O-C负极材料的组成、结构、形貌，从而研究利用镁金属化学还原法制备多孔Si/Si-O-C负极材料的机理。结果表明，镁金属在还原过程中生成MgO和Mg2SiO4等产物，经HCl洗涤后可形成多孔的...