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FTIR和XPS对沸石合成特性及Cr(Ⅲ)去除机制的谱学表征
合成沸石 Cr(Ⅲ) 粉煤灰 FTIR:XPS
2012/4/12
以粉煤灰为原料，采用优化的水热晶化法合成沸石，使用XRD，SEM和ζ电位分析沸石产品的组成特性，借助FTIR和XPS等揭示废水中Cr(Ⅲ)的去除机制。合成产品主要为NaP1型沸石，在pH值8～12区间内，ζ电位由-8.72 mV降到-24.46 mV。准二级方程和Langmuir等温线对试验的拟合效果更好，理论饱和吸附量为33.557 0 mg·g-1。FTIR图谱表明—OH和Si—O类官能团在反...
用X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy，XPS)研究了聚羧酸型梳状共聚物超分散剂吸附于莠去津颗粒样品表面的电子状态，计算了吸附厚度。结果表明，吸附分散剂后，莠去津颗粒界面的N(1s)和Cl(2p)谱峰强度明显减弱，Cl(2s)几乎消失，C(1s)，O(1s)和Na(1s)谱峰强度则明显增强，这主要是分散剂中C，O和Na的贡献，且吸附分散剂后能在莠去津颗...
硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法
X射线光电子能谱(XPS) 氧化硅 厚度测量 标准曲线
2011/4/22
提出一种新的处理方法-XPS标准曲线法来测量硅片上超薄氧化硅层(SiO2/Si)的厚度。该方法利用一系列氧化硅厚度(d)准确已知的SiO2/Si标准样品，分别记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线，并得到峰高比(R)，然后将厚度(d)对峰高比(R)作图得到标准曲线。在相同的实验条件下，测得未知样品氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线并计算其峰高比，通过插入法在标准曲线上得到相应的氧化硅层厚度。SiO2...
铜导线短路熔痕的XPS研究
深度刻蚀 光电子能谱 俄歇参数 短路熔痕
2011/4/22
利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀，同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值，对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分，即C含量迅速减少的近表面层;O含量变化不大，C含量逐渐消失且有Cu2O相的中间层;无Cu2O相，O含量显著减少的过渡层。而将二次短路熔痕表面膜层分为两部分：C含量迅速减少的近表面层;无Cu2O相，C和O量逐渐...
Influence of metal surface structure on the anisotropic XPS
high voltage of anode structure of surface X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
2011/4/26
The intensive distribution of photoelectrons as a function of X-ray beam with variable angle of incidence was investigated. Diffraction caused by the structure of surface was observed in the following...