搜索结果: 1-7 共查到“知识库 核科学技术 ZnO”相关记录7条 . 查询时间(0.078 秒)
ZnO：Ga晶体对质子的响应
无机晶体 质子辐照 响应波形
2009/10/10
对ZnO：Ga晶体进行质子辐照实验研究，得到对脉冲质子的响应波形和发光强度随质子能量的变化关系，并对实验现象和结果进行了分析。结果表明，该晶体对质子束具有很好的响应特性，与快速光电探测器相结合，可作为反冲质子探测元件，用于脉冲中子探测。
Zn原子位置对ZnO晶体电子结构的影响
ZnO 电子结构 晶格畸变
2009/10/10
本文基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法，计算了Zn原子位置对ZnO电子结构的影响。Zn的位置变化导致ZnO晶体发生晶格畸变，使电子结构发生变化；能带结构、能态密度（DOS）、电子密度、Mulliken布居等计算结果分析表明：Zn原子位置在z轴方向改变后使得Zn—O键长缩短，Zn的3d电子与O原子的2p电子在-80～-05 eV区域的杂化作用加强，导致O原子的部分2p电子...
低能质子辐照对ZnO白漆光学性能退化的影响
质子辐照 ZnO白漆 光学性能退化 氧空位
2009/8/24
通过光致荧光光谱解谱和X射线光电子能谱（XPS）分析，研究了ZnO白漆经受能量低于200 keV低能质子辐照过程中氧空位缺陷的形成与演化过程。XPS解析表明质子辐照后晶格氧减少，光致荧光光谱解析表明锌空位减少，说明ZnO白漆中氧空位数量增加，且双电离氧空位能够捕获价带中的电子转变为单电离氧空位，使单电离氧空位逐渐成为辐照产生的主要缺陷。质子辐照使ZnO白漆中氧空位数量增加，而氧空位易捕获电子形成色...
ZnO(In)闪烁体在α粒子辐照下的发光特性
ZnO(In) 能谱响应 表面光学异性
2010/7/13
采用241Am-α源研究了ZnO(In)样品(购自美国CermetInc.公司)的发光和表面光输出特性、α粒子能谱响应和单脉冲时间响应，同时对EJ212、BC418、ST401、CeF3等闪烁体进行了比较测量。实验发现，ZnO(In)样品在α粒子轰击下，两表面的光输出相差3~5倍，显示出表面不同的光学性质。测试结果表明，ZnO(In)晶体对α粒子的能谱响应波形光滑，发光效率仅次于有机闪烁体，对单粒...
采用241Am-α源研究了ZnO(In)样品(购自美国CermetInc.公司)的发光和表面光输出特性、α粒子能谱响应和单脉冲时间响应，同时对EJ212、BC418、ST401、CeF3等闪烁体进行了比较测量。实验发现，ZnO(In)样品在α粒子轰击下，两表面的光输出相差3~5倍，显示出表面不同的光学性质。测试结果表明，ZnO(In)晶体对α粒子的能谱响应波形光滑，发光效率仅次于有机闪烁体，对单粒...
ZnO：Ga无机晶体对单重带电粒子响应研究
ZnO 质子 响应
2009/3/24
利用符合法原理，建立了ZnO：Ga晶体对单重带电粒子响应的标定方法，得到了该晶体对单α粒子的响应曲线，并对此进行了分析，根据等离子体时间的相对关系得到其对质子的时间响应范围。结果表明，ZnO：Ga晶体对α粒子响应的上升时间为324ps、半高宽为686ps，该晶体对重带电粒子具有非常好的响应特性，为伴随α粒子监测和发展新的辐射探测方法提供了新的选择。